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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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结果:
| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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IXFH52N30QMOSFET N-CH 300V 52A TO247AD IXYS |
3,041 | - |
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Tabla de datos |
HiPerFET™, Q Class | TO-247-3 | Tube | Not For New Designs | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 300 V | 52A (Tc) | 10V | 60mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 4mA | 150 nC @ 10 V | ±20V | 5300 pF @ 25 V | - | 360W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AD (IXFH) |
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IXTT72N20MOSFET N-CH 200V 72A TO268 IXYS |
3,367 | - |
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- |
- | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 72A (Tc) | 10V | 33mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 250µA | 170 nC @ 10 V | ±20V | 4400 pF @ 25 V | - | 400W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-268AA |
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IXFH35N30MOSFET N-CH 300V 35A TO247AD IXYS |
3,148 | - |
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- |
HiPerFET™ | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 300 V | 35A (Tc) | 10V | 100mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 4mA | 200 nC @ 10 V | ±20V | 4800 pF @ 25 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AD (IXFH) |
.jpg)
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IXTH14N80MOSFET N-CH 800V 14A TO247 IXYS |
3,372 | - |
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Tabla de datos |
MegaMOS™ | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 14A (Tc) | 10V | 700mOhm @ 500mA, 10V | 4.5V @ 250µA | 170 nC @ 10 V | ±20V | 4500 pF @ 25 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 (IXTH) |
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IXFH15N80QMOSFET N-CH 800V 15A TO247AD IXYS |
2,533 | - |
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Tabla de datos |
HiPerFET™, Q Class | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 15A (Tc) | 10V | 600mOhm @ 7.5A, 10V | 4.5V @ 4mA | 90 nC @ 10 V | ±20V | 4300 pF @ 25 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AD (IXFH) |
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IXFH36N55QMOSFET N-CH 550V 36A TO247AD IXYS |
2,399 | - |
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- |
HiPerFET™, Q Class | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 550 V | 36A (Tc) | 10V | 160mOhm @ 500mA, 10V | 4.5V @ 4mA | 128 nC @ 10 V | ±30V | 4500 pF @ 25 V | - | 500W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AD (IXFH) |
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IXFT10N100MOSFET N-CH 1000V 10A TO268 IXYS |
2,016 | - |
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Tabla de datos |
HiPerFET™ | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 10A (Tc) | 10V | 1.2Ohm @ 5A, 10V | 4.5V @ 4mA | 155 nC @ 10 V | ±20V | 4000 pF @ 25 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-268AA |
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IXTK75N30MOSFET N-CH 300V 75A TO264 IXYS |
3,987 | - |
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- |
MegaMOS™ | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 300 V | 75A (Tc) | 10V | 42mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 250µA | 240 nC @ 10 V | ±20V | 6000 pF @ 25 V | - | 540W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-264 (IXTK) |
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IXTH30N50MOSFET N-CH 500V 30A TO247 IXYS |
2,759 | - |
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- |
MegaMOS™ | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 30A (Tc) | 10V | 170mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 250µA | 227 nC @ 10 V | ±20V | 5680 pF @ 25 V | - | 360W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 (IXTH) |
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IXFT52N50P2MOSFET N-CH 500V 52A TO268 IXYS |
3,637 | - |
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Tabla de datos |
HiPerFET™, PolarP2™ | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 52A (Tc) | 10V | 120mOhm @ 26A, 10V | 4.5V @ 4mA | 113 nC @ 10 V | ±30V | 6800 pF @ 25 V | - | 960W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-268AA |
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