Hola!! Ahora
+8619886240609(Alice)
+8619886240609(Alice)
Mi cuenta
FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDZ202PMOSFET P-CH 20V 5.5A 12BGA Fairchild Semiconductor |
138,547 | - |
|
Tabla de datos |
PowerTrench® | 12-WFBGA | Bulk | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 5.5A (Ta) | 2.5V, 4.5V | 45mOhm @ 5.5A, 4.5V | 1.5V @ 250µA | 13 nC @ 4.5 V | ±12V | 884 pF @ 10 V | - | 2W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 12-BGA (2x2.5) |
|
ISL9N312AD3STN-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor |
136,310 | - |
|
Tabla de datos |
UltraFET™ | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 50A (Tc) | 4.5V, 10V | 12mOhm @ 50A, 10V | 3V @ 250µA | 38 nC @ 10 V | ±20V | 1450 pF @ 15 V | - | 75W (Ta) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA |
|
FDZ493PMOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA Fairchild Semiconductor |
45,000 | - |
|
Tabla de datos |
PowerTrench® | 9-WFBGA | Bulk | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 4.6A (Ta) | 2.5V, 4.5V | 46mOhm @ 4.6A, 4.5V | 1.5V @ 250µA | 11 nC @ 4.5 V | ±12V | 754 pF @ 10 V | - | 1.7W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 9-BGA (1.55x1.55) |
|
FDFME2P823ZT2.6A, 20V, P-CHANNEL MOSFET Fairchild Semiconductor |
40,000 | - |
|
Tabla de datos |
PowerTrench® | 6-UFDFN Exposed Pad | Bulk | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 2.6A (Ta) | 1.8V, 4.5V | 142mOhm @ 2.3A, 4.5V | 1V @ 250µA | 7.7 nC @ 4.5 V | ±8V | 405 pF @ 10 V | Schottky Diode (Isolated) | 1.4W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 6-MicroFET (1.6x1.6) |
|
IRFS730BN-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor |
23,487 | - |
|
Tabla de datos |
- | TO-220-3 Full Pack | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 400 V | 5.5A (Tj) | 10V | 1Ohm @ 2.75A, 10V | 4V @ 250µA | 33 nC @ 10 V | ±30V | 1000 pF @ 25 V | - | 38W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220F-3 |
|
FDMC4436BZPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Fairchild Semiconductor |
23,228 | - |
|
Tabla de datos |
- | - | Bulk | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
FQPF4N20MOSFET N-CH 200V 2.8A TO220F Fairchild Semiconductor |
15,902 | - |
|
Tabla de datos |
QFET® | TO-220-3 Full Pack | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 2.8A (Tc) | 10V | 1.4Ohm @ 1.4A, 10V | 5V @ 250µA | 6.5 nC @ 10 V | ±30V | 220 pF @ 25 V | - | 27W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220F-3 |
|
HUFA76413D3SMOSFET N-CH 60V 20A TO252AA Fairchild Semiconductor |
8,243 | - |
|
Tabla de datos |
UltraFET™ | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 20A (Tc) | 4.5V, 10V | 49mOhm @ 20A, 10V | 3V @ 250µA | 20 nC @ 10 V | ±16V | 645 pF @ 25 V | - | 60W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252 (DPAK) |
|
|
IRFS254BFP001N-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor |
7,200 | - |
|
Tabla de datos |
- | TO-220-3 Full Pack | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 250 V | 16A (Tc) | 10V | 140mOhm @ 8A, 10V | 4V @ 250µA | 123 nC @ 10 V | ±30V | 3400 pF @ 25 V | - | 90W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220F |
|
IRFM210BTFN-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor |
7,025 | - |
|
Tabla de datos |
- | TO-261-4, TO-261AA | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 770mA (Tc) | 10V | 1.5Ohm @ 390mA, 10V | 4V @ 250µA | 9.3 nC @ 10 V | ±30V | 225 pF @ 25 V | - | 2W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SOT-223-4 |
- Envío rápido La puerta rápida y convenienteEntrega a domicilio.
- Seguridad de pago Más de 5 diferentes métodos de pago seguro.
- Estricto Control de calidad 365 días de servicio post-venta y garantía
- Simple y profesional Soluciones de adquisición electrónica integral.
