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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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FDZ197PZSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI onsemi |
275,000 | - |
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Tabla de datos |
PowerTrench® | 6-UFBGA, WLCSP | Bulk | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 3.8A (Ta) | 1.5V, 4.5V | 64mOhm @ 2A, 4.5V | 1V @ 250µA | 25 nC @ 4.5 V | ±8V | 1570 pF @ 10 V | - | 1.9W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 6-WLCSP (1.0x1.5) |
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2SK3978-TL-E2SK3978 - N-CHANNEL SILICON MOSF onsemi |
28,700 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 4A (Ta) | 4V, 10V | 550mOhm @ 2A, 10V | 2.6V @ 1mA | 21 nC @ 10 V | ±20V | 950 pF @ 20 V | - | 1W (Ta), 20W (Tc) | 150°C | - | - | Through Hole | TP |
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FDFME3N311ZTSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI onsemi |
15,000 | - |
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Tabla de datos |
PowerTrench® | 6-UFDFN Exposed Pad | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 1.8A (Ta) | - | 299mOhm @ 1.6A, 4.5V | 1.5V @ 250µA | 1.4 nC @ 4.5 V | ±12V | 75 pF @ 15 V | - | 600mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 6-UMLP (1.6x1.6) |
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FDC608PZ-F171FDC608PZ - P-CHANNEL POWERTRENCH onsemi |
510,149 | - |
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Tabla de datos |
* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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FDMS7681PT7 30/20V NCH ER TREN MO onsemi |
24,507 | - |
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- |
PowerTrench® | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 14A (Ta), 28A (Tc) | 4.5V, 10V | 6.9mOhm @ 14A, 10V | 3V @ 250µA | 28 nC @ 10 V | ±20V | 1850 pF @ 15 V | - | 2.5W (Ta), 33W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-PQFN (4.9x5.8) |
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FDS6675BZ-GMOSFET P-CHANNEL SINGLE 30V 11A onsemi |
101,498 | - |
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- |
PowerTrench® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 11A (Ta) | 4.5V, 10V | 13mOhm @ 11A, 10V | 3V @ 250µA | 62 nC @ 10 V | ±25V | 2470 pF @ 15 V | - | 1W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SOIC |
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STD5407NT4GSTD5407 - POWER MOSFET 40V, 38A, onsemi |
86,142 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 7.6A (Ta), 38A (Tc) | 5V, 10V | 26mOhm @ 20A, 10V | 3.5V @ 250µA | 20 nC @ 10 V | ±20V | 1000 pF @ 32 V | - | 2.9W (Ta), 75W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DPAK |
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FDME910PZT-PP-CHANNEL 20 V 8A (TA) 2.1W (TA) onsemi |
4,373 | - |
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- |
PowerTrench® | 6-PowerUFDFN | Bulk | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 8A (Ta) | 1.8V, 4.5V | 24mOhm @ 8A, 4.5V | 1.5V @ 250µA | 21 nC @ 4.5 V | ±8V | 2110 pF @ 10 V | - | 2.1W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | MicroFet 1.6x1.6 Thin |
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SFT1341-C-TL-WSFT1341 - PCH Drive Series onsemi |
598,425 | - |
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Tabla de datos |
- | - | Bulk | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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FDMA008P20LZSINGLE P-CHANNEL POWERTRENCH MOS onsemi |
97,900 | - |
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Tabla de datos |
- | 6-PowerWDFN | Bulk | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 12A (Ta) | 1.5V, 4.5V | 13mOhm @ 2.5A, 4.5V | 1.4V @ 250µA | 39 nC @ 4.5 V | ±8V | 4383 pF @ 10 V | - | 2.4W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 6-PQFN (2x2) |
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