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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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FQB27N25TM-F085P250V, 26A, 108M, D2PAKN-CHANNEL onsemi |
1,600 | - |
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- |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 250 V | 25.5A (Tc) | 10V | 131mOhm @ 25.5A, 10V | 5V @ 250µA | 49 nC @ 10 V | ±30V | 1330 pF @ 25 V | - | 417W (Tj) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
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FDD8880-SN00319FDD8880 - 35A, 30V, N-CHANNEL PO onsemi |
305,603 | - |
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Tabla de datos |
* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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CPH6424-TL-ECPH6424 - N-CHANNEL SILICON MOSF onsemi |
3,000 | - |
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Tabla de datos |
* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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NTMFS4C808NT1G-01NTMFS4C808NT1G-01 onsemi |
34,500 | - |
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- |
- | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 9A (Ta) | 4.5V, 10V | 4.8mOhm @ 18A, 10V | 2.1V @ 250µA | 8.4 nC @ 4.5 V | ±20V | 1670 pF @ 15 V | - | 760mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
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NTMFS4C027NAT1GNTMFS4C02 - Trench 6 30V NCH onsemi |
3,000 | - |
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Tabla de datos |
- | 8-PowerTDFN, 5 Leads | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 9A (Ta), 52A (Tc) | 4.5V, 10V | 4.8mOhm @ 18A, 10V | 2.1V @ 250µA | 18.2 nC @ 10 V | ±20V | 1670 pF @ 15 V | - | 760mW (Ta), 25.5W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
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FDMS0352SPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR onsemi |
18,000 | - |
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Tabla de datos |
* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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FDS4465-SN00219FDS4P-CHANN1.SPECIFIPOWERTRENMOS onsemi |
180,500 | - |
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Tabla de datos |
* | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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FDMS8570SPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 onsemi |
81,000 | - |
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Tabla de datos |
PowerTrench®, SyncFET™ | 8-PowerTDFN | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 25 V | 24A (Ta), 60A (Tc) | 4.5V, 10V | 2.8mOhm @ 24A, 10V | 2.2V @ 1mA | 425 nC @ 10 V | ±12V | 2825 pF @ 13 V | - | 2.5W (Ta), 48W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-PQFN (5x6) |
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FDS6676AS-G30V N-CHANNEL POWERTRENCH SYNCFE onsemi |
24,005 | - |
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- |
PowerTrench® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 14.5A (Ta) | 4.5V, 10V | 6mOhm @ 14.5A, 10V | 3V @ 1mA | 63 nC @ 10 V | ±20V | 2510 pF @ 15 V | - | 1W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SOIC |
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FDMA8878-F13030V SINGLE N-CHANNEL POWER TRENC onsemi |
1,337,705 | - |
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- |
PowerTrench® | 6-VDFN Exposed Pad | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 9A (Ta), 10A (Tc) | 4.5V, 10V | 16mOhm @ 9A, 10V | 3V @ 250µA | 12 nC @ 10 V | ±20V | 720 pF @ 15 V | - | 900mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 6-MicroFET (2x2) |
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