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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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2SK3489-TD-ESWITCHING DEVICE onsemi |
7,000 | - |
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- |
* | - | Tape & Reel (TR) | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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NTR3A085PZT1GSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI onsemi |
2,148,242 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bulk | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 1.9A (Ta) | 1.5V, 4.5V | 77mOhm @ 1.6A, 4.5V | 1V @ 250µA | 6.9 nC @ 4.5 V | ±8V | 586 pF @ 10 V | - | 420mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SOT-23-3 (TO-236) |
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SCH1430-TL-WSCH1430 - POWER MOSFET, 20V, 2A, onsemi |
25,000 | - |
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Tabla de datos |
- | SOT-563, SOT-666 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 2A (Ta) | 1.8V, 4.5V | 125mOhm @ 1A, 4.5V | 1.3V @ 1mA | 1.8 nC @ 4.5 V | ±12V | 128 pF @ 10 V | - | 800mW (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SOT-563/SCH6 |
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CPH3317-TL-ESmall Signal Field-Effect Transi onsemi |
3,000 | - |
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- |
- | - | Bulk | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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CPH6355-TL-WSINGLE P-CHANNEL POWER MOSFET, - onsemi |
327,000 | - |
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Tabla de datos |
- | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Bulk | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 3A (Ta) | 4V, 10V | 169mOhm @ 1.5A, 10V | 2.6V @ 1mA | 3.9 nC @ 10 V | ±20V | 172 pF @ 10 V | - | 1.6W (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 6-CPH |
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NTNS3CS68NZT5G4.3A, 20V, 0.06OHM, 2-ELEMENT, N onsemi |
280,000 | - |
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Tabla de datos |
* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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NTNS3CS94NZT5G2.8A, 20V, 0.09OHM, N-CHANNEL MO onsemi |
144,000 | - |
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Tabla de datos |
* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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SCH1331-TL-WPOWER MOSFET onsemi |
20,000 | - |
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Tabla de datos |
- | SOT-563, SOT-666 | Bulk | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 12 V | 3A (Ta) | 1.5V, 4.5V | 84mOhm @ 1.5A, 4.5V | 1.3V @ 1mA | 5.6 nC @ 4.5 V | ±10V | 405 pF @ 6 V | - | 1W (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SOT-563/SCH6 |
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SCH1331-TL-HMOSFET P-CH 12V 3A 6SCH onsemi |
19,650 | - |
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Tabla de datos |
- | SOT-563, SOT-666 | Bulk | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 12 V | 3A (Ta) | 1.5V, 4.5V | 84mOhm @ 1.5A, 4.5V | - | 5.6 nC @ 4.5 V | ±10V | 405 pF @ 6 V | - | 1W (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 6-SCH |
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MCH3312-TL-EP-CHANNEL MOSFET FOR ULTRA-HIGH onsemi |
6,000 | - |
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- |
- | 3-SMD, Flat Leads | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 2A (Ta) | 4V, 10V | 145mOhm @ 1A, 10V | 2.6V @ 1mA | 5.5 nC @ 10 V | ±20V | 200 pF @ 10 V | - | 1W (Ta) | 150°C | - | - | Surface Mount | 3-MCPH |
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