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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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结果:
| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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APT29F80JMOSFET N-CH 800V 31A ISOTOP Microchip Technology |
4,295 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS 8™ | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 31A (Tc) | 10V | 210mOhm @ 24A, 10V | 5V @ 2.5mA | 303 nC @ 10 V | ±30V | 9326 pF @ 25 V | - | 543W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
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APT22F100JMOSFET N-CH 1000V 23A ISOTOP Microchip Technology |
4,285 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS 8™ | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 23A (Tc) | 10V | 380mOhm @ 18A, 10V | - | 305 nC @ 10 V | ±30V | 9835 pF @ 25 V | - | 545W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
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APT5010JLLMOSFET N-CH 500V 41A ISOTOP Microchip Technology |
4,322 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS 7® | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 41A (Tc) | - | 100mOhm @ 20.5A, 10V | 5V @ 2.5mA | 95 nC @ 10 V | - | 4360 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
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APT12057B2LLGMOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX Microchip Technology |
3,753 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS 7® | TO-247-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 22A (Tc) | 10V | 570mOhm @ 11A, 10V | 5V @ 2.5mA | 290 nC @ 10 V | ±30V | 6200 pF @ 25 V | - | 690W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | T-MAX™ [B2] |
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APT50M50L2LLGMOSFET N-CH 500V 89A 264 MAX Microchip Technology |
3,801 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS 7® | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 89A (Tc) | - | 50mOhm @ 44.5A, 10V | 5V @ 5mA | 200 nC @ 10 V | - | 10550 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Through Hole | 264 MAX™ [L2] |
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APT26M100JCU2MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227 Microchip Technology |
4,982 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS 8™ | SOT-227-4, miniBLOC | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 26A (Tc) | 10V | 396mOhm @ 18A, 10V | 5V @ 2.5mA | 305 nC @ 10 V | ±30V | 7868 pF @ 25 V | - | 543W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227 |
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APT6013JLLMOSFET N-CH 600V 39A ISOTOP Microchip Technology |
3,734 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS 7® | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 39A (Tc) | 10V | 130mOhm @ 19.5A, 10V | 5V @ 2.5mA | 130 nC @ 10 V | ±30V | 5630 pF @ 25 V | - | 460W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
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APT12057B2FLLGMOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX Microchip Technology |
4,412 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS 7® | TO-247-3 Variant | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 22A (Tc) | 10V | 570mOhm @ 11A, 10V | 5V @ 2.5mA | 185 nC @ 10 V | ±30V | 5155 pF @ 25 V | - | 690W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | T-MAX™ [B2] |
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APT50M85JVRMOSFET N-CH 500V 50A ISOTOP Microchip Technology |
2,212 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS V® | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 50A (Tc) | - | 85mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 1mA | 535 nC @ 10 V | - | 10800 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
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APT8024JLLMOSFET N-CH 800V 29A ISOTOP Microchip Technology |
3,393 | - |
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- |
POWER MOS 7® | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 29A (Tc) | 10V | 240mOhm @ 14.5A, 10V | 5V @ 2.5mA | 160 nC @ 10 V | ±30V | 4670 pF @ 25 V | - | 460W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
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