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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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结果:
| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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APT50M75JFLLMOSFET N-CH 500V 51A ISOTOP Microchip Technology |
4,424 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS 7® | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 51A (Tc) | - | 75mOhm @ 25.5A, 10V | 5V @ 2.5mA | 125 nC @ 10 V | - | 5590 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
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APT50M85JVFRMOSFET N-CH 500V 50A ISOTOP Microchip Technology |
2,546 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS V® | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 50A (Tc) | - | 85mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 1mA | 535 nC @ 10 V | - | 10800 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
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APT10035JFLLMOSFET N-CH 1000V 25A ISOTOP Microchip Technology |
4,241 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS 7® | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 25A (Tc) | - | 370mOhm @ 14A, 10V | 5V @ 2.5mA | 186 nC @ 10 V | - | 5185 pF @ 25 V | - | 520W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
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APT19M120JMOSFET N-CH 1200V 19A ISOTOP Microchip Technology |
4,846 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS 8™ | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 19A (Tc) | 10V | 530mOhm @ 14A, 10V | 5V @ 2.5mA | 300 nC @ 10 V | ±30V | 9670 pF @ 25 V | - | 545W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
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APT8014L2LLGMOSFET N-CH 800V 52A 264 MAX Microchip Technology |
4,131 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS 7® | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 52A (Tc) | - | 140mOhm @ 26A, 10V | 5V @ 5mA | 285 nC @ 10 V | - | 7238 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Through Hole | 264 MAX™ [L2] |
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APT6017JFLLMOSFET N-CH 600V 31A ISOTOP Microchip Technology |
3,389 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS 7® | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 31A (Tc) | - | 170mOhm @ 15.5A, 10V | 5V @ 2.5mA | 100 nC @ 10 V | - | 4500 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
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APT12080JVFRMOSFET N-CH 1200V 15A ISOTOP Microchip Technology |
2,733 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS V® | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 15A (Tc) | - | 800mOhm @ 7.5A, 10V | 4V @ 2.5mA | 485 nC @ 10 V | - | 7800 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
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APT6010JFLLMOSFET N-CH 600V 47A ISOTOP Microchip Technology |
4,501 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS 7® | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 47A (Tc) | - | 100mOhm @ 23.5A, 10V | 5V @ 2.5mA | 150 nC @ 10 V | - | 6710 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
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APT10035JLLMOSFET N-CH 1000V 25A ISOTOP Microchip Technology |
3,300 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS 7® | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 25A (Tc) | 10V | 350mOhm @ 14A, 10V | 5V @ 2.5mA | 186 nC @ 10 V | ±30V | 5185 pF @ 25 V | - | 520W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
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APT100M50JMOSFET N-CH 500V 103A SOT227 Microchip Technology |
2,103 | - |
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Tabla de datos |
- | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 103A (Tc) | 10V | 38mOhm @ 75A, 10V | 5V @ 5mA | 620 nC @ 10 V | ±30V | 24600 pF @ 25 V | - | 960W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227 |
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