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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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结果:
| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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APT5017BVFRGMOSFET N-CH 500V 30A TO247 Microchip Technology |
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Tabla de datos |
POWER MOS V® | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 30A (Tc) | - | 170mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 1mA | 300 nC @ 10 V | - | 5280 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Through Hole | TO-247 [B] |
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APT56F50LMOSFET N-CH 500V 56A TO264 Microchip Technology |
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Tabla de datos |
POWER MOS 8™ | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 56A (Tc) | 10V | 100mOhm @ 28A, 10V | 5V @ 2.5mA | 220 nC @ 10 V | ±30V | 8800 pF @ 25 V | - | 780W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-264 [L] |
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APT1201R4BLLGMOSFET N-CH 1200V 9A TO247 Microchip Technology |
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POWER MOS 7® | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 9A (Tc) | 10V | 1.4Ohm @ 4.5A, 10V | 5V @ 1mA | 120 nC @ 10 V | ±30V | 2500 pF @ 25 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-3 |
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APT20M45SVFRGMOSFET N-CH 200V 56A D3PAK Microchip Technology |
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Tabla de datos |
POWER MOS V® | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 56A (Tc) | - | 45mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 1mA | 195 nC @ 10 V | - | 4860 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Surface Mount | D3PAK |
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APT6029BFLLGMOSFET N-CH 600V 21A TO247 Microchip Technology |
0 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS 7® | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 21A (Tc) | - | 290mOhm @ 10.5A, 10V | 5V @ 1mA | 65 nC @ 10 V | - | 2615 pF @ 25 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 [B] |
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APT5017SVRGMOSFET N-CH 500V 30A D3PAK Microchip Technology |
0 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS V® | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 30A (Tc) | - | 170mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 1mA | 300 nC @ 10 V | - | 5280 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Surface Mount | D3PAK |
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APT47N60BC3GMOSFET N-CH 600V 47A TO247 Microchip Technology |
1 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 47A (Tc) | 10V | 70mOhm @ 30A, 10V | 3.9V @ 2.7mA | 260 nC @ 10 V | ±20V | 7015 pF @ 25 V | - | 417W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 [B] |
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APT8065BVFRGMOSFET N-CH 800V 13A TO247 Microchip Technology |
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Tabla de datos |
POWER MOS V® | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 13A (Tc) | - | 650mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 1mA | 225 nC @ 10 V | - | 3700 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Through Hole | TO-247 [B] |
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APT24M120B2MOSFET N-CH 1200V 24A T-MAX Microchip Technology |
2 | - |
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Tabla de datos |
POWER MOS 8™ | TO-247-3 Variant | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 24A (Tc) | 10V | 630mOhm @ 12A, 10V | 5V @ 2.5mA | 260 nC @ 10 V | ±30V | 8370 pF @ 25 V | - | 1040W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | T-MAX™ [B2] |
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APT29F100LMOSFET N-CH 1000V 30A TO264 Microchip Technology |
0 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 30A (Tc) | 10V | 460mOhm @ 16A, 10V | 5V @ 2.5mA | 260 nC @ 10 V | ±30V | 8500 pF @ 25 V | - | 1040W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-264 |
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