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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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IPT65R040CFD7XTMA1MOSFET N-CH 650V 8HSOF Infineon Technologies |
2,000 | - |
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Tabla de datos |
CoolMOS™ CFD7 | 8-PowerSFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | PG-HSOF-8-2 |
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IMTA65R040M2HXTMA1SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies |
150 | - |
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Tabla de datos |
- | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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IMT65R057M1HXUMA1SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies |
1,983 | - |
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Tabla de datos |
CoolSiC™ | 8-PowerSFN | Tape & Reel (TR) | Active | - | SiCFET (Silicon Carbide) | 650 V | - | 18V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | PG-HSOF-8-2 |
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AIMDQ75R060M1HXUMA1AUTOMOTIVE_SICMOS Infineon Technologies |
738 | - |
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- |
CoolSiC™ | 22-PowerBSOP Module | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 750 V | 34A (Tc) | 15V, 20V | 78mOhm @ 11.1A, 18V | 5.6V @ 4mA | 23 nC @ 18 V | +23V, -5V | 779 pF @ 500 V | - | 167W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | PG-HDSOP-22 |
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IMBG120R034M2HXTMA1SIC DISCRETE Infineon Technologies |
980 | - |
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- |
- | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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AUIRF7669L2TRMOSFET N-CH 100V 19A DIRECTFET Infineon Technologies |
3,964 | - |
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Tabla de datos |
HEXFET® | DirectFET™ Isometric L8 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 19A (Ta), 114A (Tc) | 10V | 4.4mOhm @ 68A, 10V | 5V @ 250µA | 120 nC @ 10 V | ±20V | 5660 pF @ 25 V | - | 3.3W (Ta), 100W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DirectFET™ Isometric L8 |
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IMDQ75R040M1HXUMA1SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies |
674 | - |
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Tabla de datos |
CoolSiC™ | 22-PowerBSOP Module | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 750 V | 47A (Tc) | 15V, 20V | 37mOhm @ 16.6A, 20V | 5.6V @ 6mA | 34 nC @ 18 V | +23V, -5V | 1135 pF @ 500 V | - | 211W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-HDSOP-22-1 |
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IMT65R048M1HXUMA1SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies |
1,942 | - |
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Tabla de datos |
CoolSiC™ | 8-PowerSFN | Tape & Reel (TR) | Active | - | SiCFET (Silicon Carbide) | 650 V | - | 18V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | PG-HSOF-8-2 |
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AIMZA75R060M1HXKSA1AUTOMOTIVE_SICMOS Infineon Technologies |
239 | - |
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Tabla de datos |
CoolSiC™ | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 750 V | 32A (Tj) | 15V, 20V | 55mOhm @ 11.1A, 20V | 5.6V @ 4mA | 23 nC @ 18 V | +23V, -5V | 779 pF @ 500 V | - | 144W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | PG-TO247-4 |
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IPDQ65R029CFD7XTMA1HIGH POWER_NEW Infineon Technologies |
734 | - |
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Tabla de datos |
CoolMOS™ | 22-PowerBSOP Module | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 85A (Tc) | 10V | 29mOhm @ 35.8A, 10V | 4.5V @ 1.79mA | 139 nC @ 10 V | ±20V | 7149 pF @ 400 V | - | 463W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-HDSOP-22-1 |
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