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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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ISC130N20NM6ATMA1MOSFET Infineon Technologies |
4,434 | - |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ 6 | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 9.8A (Ta), 88A (Tc) | 10V, 15V | 11.7mOhm @ 50A, 15V | 4.5V @ 135µA | 58 nC @ 10 V | ±20V | 3900 pF @ 100 V | - | 3W (Ta), 242W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TSON-8-3 |
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IPT023N10NM5LF2ATMA1IPT023N10NM5LF2ATMA1 Infineon Technologies |
1,980 | - |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ 5 | 8-PowerSFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 27A (Ta), 243A (Tc) | 10V, 15V | 2.1mOhm @ 100A, 15V | 3.9V @ 193µA | 144 nC @ 10 V | ±20V | 12000 pF @ 50 V | - | 3.8W (Ta), 300W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-HSOF-8-1 |
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IPP65R110CFDXKSA2MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220-3 Infineon Technologies |
436 | - |
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Tabla de datos |
CoolMOS™ CFD2 | TO-220-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 31.2A (Tc) | 10V | 110mOhm @ 12.7A, 10V | 4.5V @ 1.3mA | 118 nC @ 10 V | ±20V | 3240 pF @ 100 V | - | 277.8W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3 |
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IPB90R340C3ATMA2MOSFET N-CH 900V 15A TO263-3 Infineon Technologies |
1,783 | - |
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Tabla de datos |
CoolMOS™ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 900 V | 15A (Tc) | 10V | 340mOhm @ 9.2A, 10V | 3.5V @ 1mA | 94 nC @ 10 V | ±20V | 2400 pF @ 100 V | - | 208W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO263-3-2 |
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IPDQ65R080CFD7XTMA1HIGH POWER_NEW Infineon Technologies |
750 | - |
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Tabla de datos |
CoolMOS™ | 22-PowerBSOP Module | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 36A (Tc) | 10V | 80mOhm @ 12.5A, 10V | 4.5V @ 630µA | 50 nC @ 10 V | ±20V | 2513 pF @ 400 V | - | 223W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-HDSOP-22-1 |
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IAUTN06S5N008GATMA1MOSFET_)40V 60V) Infineon Technologies |
1,690 | - |
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Tabla de datos |
- | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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IPTG018N10NM5ATMA1TRENCH >=100V PG-HSOG-8 Infineon Technologies |
1,700 | - |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ | 8-PowerSMD, Gull Wing | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 32A (Ta), 273A Tc) | 6V, 10V | 1.8mOhm @ 150A, 10V | 3.8V @ 202µA | 152 nC @ 10 V | ±20V | 11000 pF @ 50 V | - | 3.8W (Ta), 273W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-HSOG-8-1 |
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IPB65R110CFDATMA2MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263-3 Infineon Technologies |
1,960 | - |
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Tabla de datos |
CoolMOS™ CFD2 | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 31.2A (Tc) | 10V | 110mOhm @ 12.7A, 10V | 4.5V @ 1.3mA | 118 nC @ 10 V | ±20V | 3240 pF @ 100 V | - | 277.8W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO263-3 |
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IMWH170R450M1XKSA1IMWH170R450M1XKSA1 Infineon Technologies |
252 | - |
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- |
CoolSiC™ | TO-247-3 | Tray | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1700 V | 10A (Tj) | 12V, 15V | 390mOhm @ 2A, 15V | 5.7V @ 2.6mA | 11.7 nC @ 12 V | 15V, 12V | 506 pF @ 1000 V | - | 111W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO247-3-U04 |
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IPW95R130PFD7XKSA1HIGH POWER_NEW Infineon Technologies |
314 | - |
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Tabla de datos |
CoolMOS™ | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 950 V | 36.5A | 10V | - | - | 141 nC @ 10 V | ±20V | - | - | 227W | -55°C ~ 150°C | - | - | Through Hole | PG-TO247-3-41 |
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