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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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BSC159N10LSFGATMA1MOSFET N-CH 100V 9.4A/63A TDSON Infineon Technologies |
2,429 | - |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 9.4A (Ta), 63A (Tc) | 4.5V, 10V | 15.9mOhm @ 50A, 10V | 2.4V @ 72µA | 35 nC @ 10 V | ±20V | 2500 pF @ 50 V | - | 114W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TDSON-8-1 |
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IRFSL23N15DMOSFET N-CH 150V 23A TO262 Infineon Technologies |
4,314 | - |
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Tabla de datos |
HEXFET® | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 150 V | 23A (Tc) | 10V | 90mOhm @ 14A, 10V | 5.5V @ 250µA | 56 nC @ 10 V | ±30V | 1200 pF @ 25 V | - | 3.8W (Ta), 136W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-262 |
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IRF2807SMOSFET N-CH 75V 82A D2PAK Infineon Technologies |
4,808 | - |
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Tabla de datos |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 75 V | 82A (Tc) | 10V | 13mOhm @ 43A, 10V | 4V @ 250µA | 160 nC @ 10 V | ±20V | 3820 pF @ 25 V | - | 230W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
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IPD70P04P409ATMA1MOSFET P-CH 40V 73A TO252-3 Infineon Technologies |
3,269 | - |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 73A (Tc) | 10V | 8.9mOhm @ 70A, 10V | 4V @ 120µA | 70 nC @ 10 V | ±20V | 4810 pF @ 25 V | - | 75W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | PG-TO252-3-313 |
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IPC60R165CPX1SA4MOSFET N-CH BARE DIE Infineon Technologies |
3,506 | - |
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- | - | Bulk | Not For New Designs | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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SI4410DYMOSFET N-CH 30V 10A 8SO Infineon Technologies |
4,193 | - |
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Tabla de datos |
HEXFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 10A (Ta) | 4.5V, 10V | 13.5mOhm @ 10A, 10V | 1V @ 250µA | 45 nC @ 10 V | ±20V | 1585 pF @ 15 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
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IAUMN10S5N017GAUMA1MOSFET_(75V 120V( Infineon Technologies |
4,101 | - |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ 5 | 4-PowerSFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 200A (Tj) | 6V, 10V | 1.7mOhm @ 100A, 10V | 3.8V @ 215µA | 170 nC @ 10 V | ±20V | 12514 pF @ 50 V | - | 307W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | PG-HSOG-4-1 |
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IRFH5206TR2PBFMOSFET N-CH 60V 16A 5X6 PQFN Infineon Technologies |
3,199 | - |
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Tabla de datos |
- | 8-PowerVDFN | Cut Tape (CT) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 16A (Ta), 89A (Tc) | - | 6.7mOhm @ 50A, 10V | 4V @ 100µA | 60 nC @ 10 V | - | 2490 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Surface Mount | 8-PQFN (5x6) |
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IRFH5207TR2PBFMOSFET N-CH 75V 5X6 PQFN Infineon Technologies |
4,692 | - |
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Tabla de datos |
- | 8-PowerVDFN | Cut Tape (CT) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 75 V | 13A (Ta), 71A (Tc) | - | 9.6mOhm @ 43A, 10V | 4V @ 100µA | 59 nC @ 10 V | - | 2474 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Surface Mount | 8-PQFN (5x6) |
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IRFH5210TR2PBFMOSFET N-CH 100V 10A 5X6 PQFN Infineon Technologies |
2,862 | - |
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Tabla de datos |
- | 8-PowerVDFN | Cut Tape (CT) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 10A (Ta), 55A (Tc) | - | 14.9mOhm @ 33A, 10V | 4V @ 100µA | 59 nC @ 10 V | - | 2570 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Surface Mount | 8-PQFN (5x6) |
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