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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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IRFZ48NSTRRMOSFET N-CH 55V 64A D2PAK Infineon Technologies |
4,702 | - |
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Tabla de datos |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 64A (Tc) | 10V | 14mOhm @ 32A, 10V | 4V @ 250µA | 81 nC @ 10 V | ±20V | 1970 pF @ 25 V | - | 3.8W (Ta), 130W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
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IAUC120N06S5N011ATMA1MOSFET_)40V 60V) Infineon Technologies |
2,680 | - |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ 5 | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 310A (Tj) | 7V, 10V | 1.12mOhm @ 60A, 10V | 3.4V @ 130µA | 137 nC @ 10 V | ±20V | 9822 pF @ 30 V | - | 188W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TDSON-8-53 |
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IQE036N08NM6CGSCATMA1TRENCH 40<-<100V Infineon Technologies |
3,298 | - |
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- | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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IQE036N08NM6SCATMA1TRENCH 40<-<100V Infineon Technologies |
3,448 | - |
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- |
- | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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94-4737MOSFET N-CH 30V 33A DPAK Infineon Technologies |
2,394 | - |
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Tabla de datos |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 33A (Tc) | 10V | 31mOhm @ 18A, 10V | 4V @ 250µA | 29 nC @ 10 V | ±20V | 750 pF @ 25 V | - | 57W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
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IRF7201TRPBFMOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO Infineon Technologies |
2,466 | - |
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Tabla de datos |
HEXFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 7.3A (Tc) | 4.5V, 10V | 30mOhm @ 7.3A, 10V | 1V @ 250µA | 28 nC @ 10 V | ±20V | 550 pF @ 25 V | - | 2.5W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
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IPB080N06N GMOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 Infineon Technologies |
2,896 | - |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 80A (Tc) | 10V | 7.7mOhm @ 80A, 10V | 4V @ 150µA | 93 nC @ 10 V | ±20V | 3500 pF @ 30 V | - | 214W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO263-3-2 |
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IPN50R650CEATMA1MOSFET N-CH 500V 9A SOT223 Infineon Technologies |
4,102 | - |
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Tabla de datos |
CoolMOS™ CE | TO-261-4, TO-261AA | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 9A (Tc) | 13V | 650mOhm @ 1.8A, 13V | 3.5V @ 150µA | 15 nC @ 10 V | ±20V | 342 pF @ 100 V | - | 5W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-SOT223-3 |
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SPI80N03S2L-04MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3 Infineon Technologies |
4,986 | - |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 80A (Tc) | 4.5V, 10V | 4.2mOhm @ 80A, 10V | 2V @ 130µA | 105 nC @ 10 V | ±20V | 3900 pF @ 25 V | - | 188W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO262-3-1 |
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ISC0604NLSATMA1TRENCH 40<-<100V Infineon Technologies |
4,090 | - |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ 5 | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 80 V | 22A (Ta), 166A (Tc) | 4.5V, 10V | 2.8mOhm @ 50A, 10V | 2.3V @ 103µA | 78 nC @ 10 V | ±20V | 6800 pF @ 40 V | - | 2.5W (Ta), 139W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TDSON-8 |
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