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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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IPP65R099CFD7AAKSA1MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3 Infineon Technologies |
38 | - |
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Tabla de datos |
CoolMOS™ CFD7A | TO-220-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 24A (Tc) | 10V | 99mOhm @ 12.5A, 10V | 4.5V @ 630µA | 53 nC @ 10 V | ±20V | 2513 pF @ 400 V | - | 127W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | PG-TO220-3 |
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IPW60R055CFD7XKSA1MOSFET N-CH 600V 38A TO247-3 Infineon Technologies |
73 | - |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 38A (Tc) | 10V | 55mOhm @ 18A, 10V | 4.5V @ 900µA | 79 nC @ 10 V | ±20V | 3194 pF @ 400 V | - | 178W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO247-3 |
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IMZA65R083M1HXKSA1SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247 Infineon Technologies |
28 | - |
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Tabla de datos |
CoolSiC™ | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 650 V | 26A (Tc) | 18V | 111mOhm @ 11.2A, 18V | 5.7V @ 3.3mA | 19 nC @ 18 V | +20V, -2V | 624 pF @ 400 V | - | 104W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO247-4-3 |
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IMW65R057M1HXKSA1SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247 Infineon Technologies |
84 | - |
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Tabla de datos |
CoolSiC™ | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 650 V | 35A (Tc) | 18V | 74mOhm @ 16.7A, 18V | 5.7V @ 5mA | 28 nC @ 18 V | +20V, -2V | 930 pF @ 400 V | - | 133W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO247-3-41 |
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IPWS65R050CFD7AXKSA1MOSFET N-CH 650V 45A TO247-3-41 Infineon Technologies |
55 | - |
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Tabla de datos |
CoolMOS™ CFD7A | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 45A (Tc) | 10V | 50mOhm @ 24.8A, 10V | 4.5V @ 1.24mA | 102 nC @ 10 V | ±20V | 4975 pF @ 400 V | - | 227W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | PG-TO247-3-41 |
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IPA65R045C7XKSA1MOSFET N-CH 650V 18A TO220-FP Infineon Technologies |
8 | - |
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Tabla de datos |
CoolMOS™ C7 | TO-220-3 Full Pack | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 18A (Tc) | 10V | 45mOhm @ 24.9A, 10V | 4V @ 1.25mA | 93 nC @ 10 V | ±20V | 4340 pF @ 400 V | - | 35W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-FP |
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IAUCN04S7L028ATMA1MOSFET_(20V 40V) Infineon Technologies |
363 | - |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ 7 | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 100A | 10V | - | - | - | - | - | - | - | -55°C ~ 175°C | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | PG-TDSON-8-33 |
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IAUCN04S7L019ATMA1MOSFET_(20V 40V) Infineon Technologies |
698 | - |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ 7 | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | - | 10V | - | - | 40 nC @ 10 V | - | - | - | - | -55°C ~ 175°C | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | PG-TDSON-8-33 |
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IAUCN04S7N020ATMA1MOSFET_(20V 40V) Infineon Technologies |
340 | - |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ 7 | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | - | 10V | - | - | 24 nC @ 10 V | - | - | - | - | -55°C ~ 175°C | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | PG-TDSON-8-33 |
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IAUCN04S7L053DATMA1MOSFET_(20V 40V) Infineon Technologies |
500 | - |
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* | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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