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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    FDW2506P

    FDW2506P

    MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8TSSOP

    Fairchild Semiconductor

    102,545
    RFQ
    FDW2506P

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 5.3A 22mOhm @ 5.3A, 4.5V 1.5V @ 250µA 34nC @ 4.5V 1015pF @ 10V 600mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-TSSOP
    NDH8304P

    NDH8304P

    MOSFET 2P-CH 20V 2.7A SUPERSOT-8

    Fairchild Semiconductor

    42,000
    RFQ
    NDH8304P

    Tabla de datos

    - 8-TSOP (0.130", 3.30mm Width) Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 2.7A 70mOhm @ 2.7A, 4.5V 1V @ 250µA 23nC @ 4.5V 865pF @ 10V 800mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SuperSOT™-8
    NDS9947

    NDS9947

    MOSFET 2P-CH 20V 3.5A 8SOIC

    Fairchild Semiconductor

    12,500
    RFQ
    NDS9947

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 3.5A 100mOhm @ 3.5A, 10V 3V @ 250µA 13nC @ 10V 542pF @ 10V 900mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    FDS8934A

    FDS8934A

    MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC

    Fairchild Semiconductor

    52,862
    RFQ
    FDS8934A

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 4A 55mOhm @ 4A, 4.5V 1V @ 250µA 28nC @ 5V 1130pF @ 10V 900mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    FDS4501H

    FDS4501H

    MOSFET N/P-CH 30V/20V 9.3A 8SOIC

    Fairchild Semiconductor

    20,450
    RFQ
    FDS4501H

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 30V, 20V 9.3A, 5.6A 18mOhm @ 9.3A, 10V 3V @ 250µA 27nC @ 4.5V 1958pF @ 10V 1W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    NDH8321C

    NDH8321C

    MOSFET N/P-CH 20V 3.8A SUPERSOT

    Fairchild Semiconductor

    3,000
    RFQ
    NDH8321C

    Tabla de datos

    - 8-TSOP (0.130", 3.30mm Width) Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 20V 3.8A (Ta), 2.7A (Ta) 35mOhm @ 3.8A, 4.5V, 70mOhm @ 2.7A, 4.5V 1V @ 250µA 28nC @ 4.5V, 23nC @ 4.5V 700pF @ 10V, 865pF @ 10V 800mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SuperSOT™-8
    FDMS9408

    FDMS9408

    MOSFET N-CH

    Fairchild Semiconductor

    1,838
    RFQ

    -

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    FDR8702H

    FDR8702H

    MOSFET N/P-CH 20V 3.6A SUPERSOT

    Fairchild Semiconductor

    254,870
    RFQ
    FDR8702H

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-TSOP (0.130", 3.30mm Width) Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 20V 3.6A, 2.6A 38mOhm @ 3.6A, 4.5V 1.5V @ 250µA 10nC @ 4.5V 650pF @ 10V 800mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SuperSOT™-8
    RF1K4915496

    RF1K4915496

    MOSFET 2N-CH 60V 2A 8SOIC

    Fairchild Semiconductor

    2,500
    RFQ
    RF1K4915496

    Tabla de datos

    LittleFET™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 60V 2A (Ta) 130mOhm @ 2A, 10V 4V @ 250µA 32nC @ 20V 340pF @ 25V 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    NDH8521C

    NDH8521C

    MOSFET N/P-CH 30V 3.8A SUPERSOT

    Fairchild Semiconductor

    39,000
    RFQ
    NDH8521C

    Tabla de datos

    - 8-TSOP (0.130", 3.30mm Width) Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 30V 3.8A (Ta), 2.7A (Ta) 33mOhm @ 3.8A, 10V, 70mOhm @ 2.7A, 10V 2V @ 250µA 25nC @ 10V, 27nC @ 10V 500pF @ 15V, 560pF @ 15V 800mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SuperSOT™-8
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