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    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    FDMS3606AS

    FDMS3606AS

    MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A 8PQFN

    Fairchild Semiconductor

    7,184
    RFQ
    FDMS3606AS

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-PowerTDFN Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Logic Level Gate 30V 13A, 27A 8mOhm @ 13A, 10V 2.7V @ 250µA 29nC @ 10V 1695pF @ 15V 1W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PQFN (5x6)
    FDMS3604AS

    FDMS3604AS

    MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A 8PQFN

    Fairchild Semiconductor

    2,830
    RFQ
    FDMS3604AS

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-PowerTDFN Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Logic Level Gate 30V 13A, 23A 8mOhm @ 13A, 10V 2.7V @ 250µA 29nC @ 10V 1695pF @ 15V 1W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PQFN (5x6)
    FDMS3602S

    FDMS3602S

    MOSFET 2N-CH 25V 15A/26A POWER56

    Fairchild Semiconductor

    1,639
    RFQ
    FDMS3602S

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-PowerTDFN Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 25V 15A, 26A 5.6mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 27nC @ 10V 1680pF @ 13V 1W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Power56
    FDMD8260LET60

    FDMD8260LET60

    MOSFET 2N-CH 60V 15A 12POWER

    Fairchild Semiconductor

    3,000
    RFQ
    FDMD8260LET60

    Tabla de datos

    PowerTrench® 12-PowerWDFN Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 60V 15A 5.8mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 68nC @ 10V 5245pF @ 30V 1.1W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 12-Power3.3x5
    FPF1C2P5BF07A

    FPF1C2P5BF07A

    MOSFET 5N-CH 650V 36A F1

    Fairchild Semiconductor

    330
    RFQ
    FPF1C2P5BF07A

    Tabla de datos

    - F1 Module Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 5 N-Channel (Solar Inverter) - 650V 36A 90mOhm @ 27A, 10V 3.8V @ 250µA - - 250W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount F1
    SI4920DY

    SI4920DY

    MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC

    Fairchild Semiconductor

    970
    RFQ
    SI4920DY

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 6A (Ta) 28mOhm @ 6A, 10V 3V @ 250µA 13nC @ 5V 830pF @ 15V 900mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    FDSS2407S_B82086

    FDSS2407S_B82086

    MOSFET 2N-CH 62V 3.3A 8SOIC

    Fairchild Semiconductor

    783
    RFQ
    FDSS2407S_B82086

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 62V 3.3A (Ta) 110mOhm @ 3.3A, 10V 3V @ 250µA 4.3nC @ 5V 300pF @ 15V 2.27W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    FDS6894A

    FDS6894A

    MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC

    Fairchild Semiconductor

    408
    RFQ
    FDS6894A

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 8A 17mOhm @ 8A, 4.5V 1.5V @ 250µA 24nC @ 4.5V 1676pF @ 10V 900mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    2N7002VA

    2N7002VA

    MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563F

    Fairchild Semiconductor

    3,982
    RFQ
    2N7002VA

    Tabla de datos

    - SOT-563, SOT-666 Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 60V 280mA 7.5Ohm @ 50mA, 5V 2.5V @ 250µA - 50pF @ 25V 250mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-563F
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