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    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































    Fairchild Semiconductor
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    结果: 159
    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    FDW2503NZ

    FDW2503NZ

    MOSFET 2N-CH 20V 5.5A 8TSSOP

    Fairchild Semiconductor

    125,563
    RFQ
    FDW2503NZ

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 5.5A 20mOhm @ 5.5A, 4.5V 1.5V @ 250µA 17nC @ 4.5V 1286pF @ 10V 600mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-TSSOP
    FDZ2553NZ

    FDZ2553NZ

    MOSFET 2N-CH 20V 9.6A 18BGA

    Fairchild Semiconductor

    2,990
    RFQ
    FDZ2553NZ

    Tabla de datos

    PowerTrench® 18-WFBGA Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 9.6A 14mOhm @ 9.6A, 4.5V 1.5V @ 250µA 18nC @ 5V 1240pF @ 10V 2.1W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 18-BGA (2.5x4)
    NDS9953A

    NDS9953A

    MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC

    Fairchild Semiconductor

    257,016
    RFQ
    NDS9953A

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 2.9A 130mOhm @ 1A, 10V 2.8V @ 250µA 25nC @ 10V 350pF @ 10V 900mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    RF1K4909096

    RF1K4909096

    MOSFET 2N-CH 12V 3.5A 8SOIC

    Fairchild Semiconductor

    60,849
    RFQ
    RF1K4909096

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 12V 3.5A (Ta) 50mOhm @ 3.5A, 5V 2V @ 250µA 25nC @ 10V 750pF @ 10V 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    NDS8934

    NDS8934

    MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8SOIC

    Fairchild Semiconductor

    2,500
    RFQ
    NDS8934

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 3.8A 70mOhm @ 3.8A, 4.5V 1V @ 250µA 30nC @ 4.5V 1120pF @ 10V 900mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    RF1K4909396

    RF1K4909396

    MOSFET 2P-CH 12V 2.5A 8SOIC

    Fairchild Semiconductor

    1,942
    RFQ
    RF1K4909396

    Tabla de datos

    LittleFET™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 12V 2.5A (Ta) 130mOhm @ 2.5A, 5V 2V @ 250µA 24nC @ 10V 775pF @ 10V 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    NDH8502P

    NDH8502P

    MOSFET 2P-CH 30V 2.2A SUPERSOT-8

    Fairchild Semiconductor

    53,427
    RFQ
    NDH8502P

    Tabla de datos

    - 8-TSOP (0.130", 3.30mm Width) Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) - 30V 2.2A (Ta) 110mOhm @ 2.2A, 10V 3V @ 250µA 14.5nC @ 10V 340pF @ 15V 800mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SuperSOT™-8
    FDZ2554PZ

    FDZ2554PZ

    MOSFET 2P-CH 20V 6.5A 18BGA

    Fairchild Semiconductor

    6,000
    RFQ
    FDZ2554PZ

    Tabla de datos

    PowerTrench® 18-WFBGA Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 6.5A 28mOhm @ 6.5A, 4.5V 1.5V @ 250µA 21nC @ 4.5V 1430pF @ 10V 2.1W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 18-BGA (2.5x4)
    SI4963DY

    SI4963DY

    MOSFET 2P-CH 20V 6.2A 8SOIC

    Fairchild Semiconductor

    37,162
    RFQ
    SI4963DY

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) - 20V 6.2A (Ta) 33mOhm @ 6.2A, 4.5V 1.5V @ 250µA 20nC @ 4.5V 1456pF @ 10V 900mW (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    SI4953DY

    SI4953DY

    MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC

    Fairchild Semiconductor

    2,500
    RFQ
    SI4953DY

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) - 30V 4.9A (Ta) 53mOhm @ 4.9A, 10V 1V @ 250µA 25nC @ 10V 750pF @ 15V 900mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
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