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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    NVXK2PR80WXT2

    NVXK2PR80WXT2

    MOSFET 4N-CH 1200V 31A APM32

    onsemi

    4,224
    RFQ
    NVXK2PR80WXT2

    Tabla de datos

    - 32-PowerDIP Module (1.449", 36.80mm) Tube Active Silicon Carbide (SiC) 4 N-Channel (Full Bridge) Silicon Carbide (SiC) 1200V (1.2kV) 31A (Tc) 116mOhm @ 20A, 20V 4.3V @ 5mA 56nC @ 20V 1154pF @ 800V 208W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole APM32
    NVXK2VR80WDT2

    NVXK2VR80WDT2

    MOSFET 6N-CH 1200V 20A APM32

    onsemi

    2,919
    RFQ
    NVXK2VR80WDT2

    Tabla de datos

    - 32-PowerDIP Module (1.449", 36.80mm) Tube Active Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Silicon Carbide (SiC) 1200V (1.2kV) 20A (Tc) 116mOhm @ 20A, 20V 4.3V @ 5mA 56nC @ 20V 1154pF @ 800V 82W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole APM32
    NXH040F120MNF1PG

    NXH040F120MNF1PG

    MOSFET 4N-CH 1200V 30A 22PIM

    onsemi

    2,442
    RFQ
    NXH040F120MNF1PG

    Tabla de datos

    - Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 4 N-Channel - 1200V (1.2kV) 30A (Tc) 56mOhm @ 25A, 20V 4.3V @ 10mA 122.1nC @ 20V 1505pF @ 800V 74W (Tj) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount 22-PIM (33.8x42.5)
    NXH010P90MNF1PG

    NXH010P90MNF1PG

    MOSFET 2N-CH 900V 154A

    onsemi

    2,132
    RFQ
    NXH010P90MNF1PG

    Tabla de datos

    - Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) Common Source - 900V 154A (Tc) 14mOhm @ 100A, 15V 4.3V @ 40mA 546.4nC @ 15V 7007pF @ 450V 328W (Tj) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount -
    NXH010P120MNF1PG

    NXH010P120MNF1PG

    MOSFET 2N-CH 1200V 114A

    onsemi

    4,785
    RFQ
    NXH010P120MNF1PG

    Tabla de datos

    - Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) Common Source - 1200V (1.2kV) 114A (Tc) 14mOhm @ 100A, 20V 4.3V @ 40mA 454nC @ 20V 4707pF @ 800V 250W (Tj) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount -
    NXH020P120MNF1PG

    NXH020P120MNF1PG

    MOSFET 2N-CH 1200V 51A

    onsemi

    3,529
    RFQ
    NXH020P120MNF1PG

    Tabla de datos

    - Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) Common Source - 1200V (1.2kV) 51A (Tc) 30mOhm @ 50A, 20V 4.3V @ 20mA 213.5nC @ 20V 2420pF @ 800V 119W (Tj) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount -
    NXH006P120M3F2PTHG

    NXH006P120M3F2PTHG

    MOSFET 2N-CH 1200V 191A 36PIM

    onsemi

    1
    RFQ
    NXH006P120M3F2PTHG

    Tabla de datos

    - Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) Silicon Carbide (SiC) 1200V (1.2kV) 191A (Tc) 8mOhm @ 100A, 18V 4.4V @ 80mA 622nC @ 20V 11914pF @ 800V 556W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount 36-PIM (56.7x62.8)
    NDC7002N_SB9G007

    NDC7002N_SB9G007

    MOSFET 2N-CH 50V 0.51A SSOT6

    onsemi

    4,134
    RFQ
    NDC7002N_SB9G007

    Tabla de datos

    - SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 50V 510mA 2Ohm @ 510mA, 10V 2.5V @ 250µA 1nC @ 10V 20pF @ 25V 700mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SuperSOT™-6
    NTJD4001NT1

    NTJD4001NT1

    MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88

    onsemi

    2,793
    RFQ
    NTJD4001NT1

    Tabla de datos

    - 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 30V 250mA 1.5Ohm @ 10mA, 4V 1.5V @ 100µA 1.3nC @ 5V 33pF @ 5V 272mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
    NTJD4001NT2G

    NTJD4001NT2G

    MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88

    onsemi

    3,898
    RFQ
    NTJD4001NT2G

    Tabla de datos

    - 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 30V 250mA 1.5Ohm @ 10mA, 4V 1.5V @ 100µA 1.3nC @ 5V 33pF @ 5V 272mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
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