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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    FQS4900TF

    FQS4900TF

    MOSFET N/P-CH 60V/300V 8SOIC

    onsemi

    3,035
    RFQ

    -

    QFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 60V, 300V 1.3A, 300mA 550mOhm @ 650mA, 10V 1.95V @ 20mA 2.1nC @ 5V - 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    NTLGD3502NT2G

    NTLGD3502NT2G

    MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN

    onsemi

    3,618
    RFQ
    NTLGD3502NT2G

    Tabla de datos

    - 6-VDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 4.3A, 3.6A 60mOhm @ 4.3A, 4.5V 2V @ 250µA 4nC @ 4.5V 480pF @ 10V 1.74W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-DFN (3x3)
    FW282-V-TL-E

    FW282-V-TL-E

    NCH+NCH 4V DRIVE SERIES

    onsemi

    5,000
    RFQ

    -

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    NTD4906NAT4H

    NTD4906NAT4H

    MOSFET N-CH 30V 54A

    onsemi

    57,500
    RFQ
    NTD4906NAT4H

    Tabla de datos

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    CPH6635-TL-H

    CPH6635-TL-H

    MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.4A 6CPH

    onsemi

    3,983
    RFQ
    CPH6635-TL-H

    Tabla de datos

    - SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 30V, 20V 400mA, 1.5A 3.7Ohm @ 80mA, 4V - 1.58nC @ 10V 7pF @ 10V 800mW 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-CPH
    EFC6612R-A-TF

    EFC6612R-A-TF

    MOSFET 2N-CH 6CSP

    onsemi

    4,060
    RFQ

    -

    - 6-SMD, No Lead Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Logic Level Gate, 2.5V Drive - - - - 27nC @ 4.5V - 2.5W - - - Surface Mount 6-CSP (1.77x3.54)
    EFC6611R-A-TF

    EFC6611R-A-TF

    MOSFET 2N-CH 12V 27A EFCP

    onsemi

    170,000
    RFQ

    -

    * 6-SMD, No Lead Bulk Active - - - - - - - - - - - - - Surface Mount 6-CSP (1.77x3.54)
    FTD2019S-TL-E

    FTD2019S-TL-E

    NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES

    onsemi

    8,970
    RFQ

    -

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    FX205-TL-E-ON

    FX205-TL-E-ON

    MOSFET P-CH

    onsemi

    14,000
    RFQ

    -

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    NVMJD016N06CTWG

    NVMJD016N06CTWG

    MOSFET N-CH 60V LFPAK56

    onsemi

    3,000
    RFQ

    -

    - - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - -
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