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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    FW342-TL-E

    FW342-TL-E

    MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A 8SOP

    onsemi

    2,000
    RFQ

    -

    - 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 30V 6A, 5A 33mOhm @ 6A, 10V - 16nC @ 10V 850pF @ 10V 1.8W 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    ECH8602M-TL-H

    ECH8602M-TL-H

    MOSFET 2N-CH 30V 6A 8ECH

    onsemi

    3,487
    RFQ

    -

    - 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 6A 30mOhm @ 3A, 4.5V - 7.5nC @ 4.5V - 1.5W 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-ECH
    VEC2415-TL-E

    VEC2415-TL-E

    MOSFET 2N-CH 60V 3A SOT28

    onsemi

    3,757
    RFQ

    -

    - 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 60V 3A 80mOhm @ 1.5A, 10V 2.6V @ 1mA 10nC @ 10V 505pF @ 20V 1W 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-28FL/VEC8
    NTLTD7900ZR2G

    NTLTD7900ZR2G

    MOSFET 2N-CH 20V 6A 8DFN

    onsemi

    3,323
    RFQ
    NTLTD7900ZR2G

    Tabla de datos

    - 8-VDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 6A 26mOhm @ 6.5A, 4.5V 1V @ 250µA 18nC @ 4.5V 15pF @ 16V 1.5W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-DFN (3x3), (MICRO8 LEADLESS)
    FW225-TL-E

    FW225-TL-E

    NCH+NCH 4V DRIVE SERIES

    onsemi

    102,000
    RFQ

    -

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    STD1056T4-ON

    STD1056T4-ON

    MOSFET N-CH

    onsemi

    20,000
    RFQ

    -

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    ECH8652-TL-H

    ECH8652-TL-H

    MOSFET 2P-CH 12V 6A 8ECH

    onsemi

    3,343
    RFQ
    ECH8652-TL-H

    Tabla de datos

    - 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 12V 6A 28mOhm @ 3A, 4.5V - 11nC @ 4.5V 1000pF @ 6V 1.5W 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-ECH
    NTHD5903T1G

    NTHD5903T1G

    MOSFET 2P-CH 20V 2.2A CHIPFET

    onsemi

    4,747
    RFQ
    NTHD5903T1G

    Tabla de datos

    - 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 2.2A 155mOhm @ 2.2A, 4.5V 600mV @ 250µA 7.4nC @ 4.5V - 1.1W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount ChipFET™
    VEC2402-TL-E

    VEC2402-TL-E

    NCH+NCH 4V DRIVE SERIES

    onsemi

    63,000
    RFQ

    -

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    ECH8606-TL-H

    ECH8606-TL-H

    NCH+NCH 4V DRIVE SERIES

    onsemi

    30,000
    RFQ

    -

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
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