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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    MCH6613-TL-E

    MCH6613-TL-E

    MOSFET N/P-CH 30V 0.35A 6MCPH

    onsemi

    2,140
    RFQ
    MCH6613-TL-E

    Tabla de datos

    - 6-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 30V 350mA, 200mA 3.7Ohm @ 80mA, 4V - 1.58nC @ 10V 7pF @ 10V 800mW 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-MCPH
    FW276-TL-2H

    FW276-TL-2H

    MOSFET 2N-CH 450V 0.7A 8SOIC

    onsemi

    3,856
    RFQ

    -

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 450V 700mA 12.1Ohm @ 350mA, 10V 4.5V @ 1mA 3.7nC @ 10V 55pF @ 20V 1.6W 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    NTMD2C02R2G

    NTMD2C02R2G

    MOSFET N/P-CH 20V 5.2A 8SOIC

    onsemi

    4,862
    RFQ
    NTMD2C02R2G

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 20V 5.2A, 3.4A 43mOhm @ 4A, 4.5V 1.2V @ 250µA 20nC @ 4.5V 1100pF @ 10V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    FDC6561AN-NB5S007A

    FDC6561AN-NB5S007A

    MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6

    onsemi

    1,593
    RFQ

    -

    - SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 2.5A (Ta) 95mOhm @ 2.5A, 10V 3V @ 250µA 3.2nC @ 5V 220pF @ 15V 700mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SuperSOT™-6
    NTQD6968NR2G

    NTQD6968NR2G

    MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP

    onsemi

    4,738
    RFQ
    NTQD6968NR2G

    Tabla de datos

    - 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 6.2A 22mOhm @ 7A, 4.5V 1.2V @ 250µA 17nC @ 4.5V 630pF @ 16V 1.39W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-TSSOP
    NTQD6968R2

    NTQD6968R2

    MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8TSSOP

    onsemi

    4,102
    RFQ
    NTQD6968R2

    Tabla de datos

    - 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 6.6A 22mOhm @ 6.6A, 4.5V 1.2V @ 250µA 20nC @ 4.5V 900pF @ 16V 1.42W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-TSSOP
    FDMS3602AS

    FDMS3602AS

    MOSFET 2N-CH 25V 15A/26A POWER56

    onsemi

    4,299
    RFQ
    FDMS3602AS

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Logic Level Gate 25V 15A, 26A 5.6mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 27nC @ 10V 1770pF @ 13V 2.2W, 2.5W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Power56
    NTLGD3502NT1G

    NTLGD3502NT1G

    MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN

    onsemi

    4,186
    RFQ
    NTLGD3502NT1G

    Tabla de datos

    - 6-VDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 4.3A, 3.6A 60mOhm @ 4.3A, 4.5V 2V @ 250µA 4nC @ 4.5V 480pF @ 10V 1.74W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-DFN (3x3)
    MTD3N25E1

    MTD3N25E1

    MOSFET N-CH 250V 3A

    onsemi

    13,650
    RFQ
    MTD3N25E1

    Tabla de datos

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    FDG6317NZ

    FDG6317NZ

    MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC88

    onsemi

    5,104
    RFQ
    FDG6317NZ

    Tabla de datos

    PowerTrench® 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Last Time Buy MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 700mA 400mOhm @ 700mA, 4.5V 1.5V @ 250µA 1.1nC @ 4.5V 66.5pF @ 10V 300mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
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