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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    结果:
    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    APTM50HM35FG

    APTM50HM35FG

    MOSFET 4N-CH 500V 99A SP6

    Microchip Technology

    0
    RFQ
    APTM50HM35FG

    Tabla de datos

    - SP6 Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 4 N-Channel (Full Bridge) - 500V 99A 39mOhm @ 49.5A, 10V 5V @ 5mA 280nC @ 10V 14000pF @ 25V 781W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP6
    APTM100AM90FG

    APTM100AM90FG

    MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6

    Microchip Technology

    0
    RFQ
    APTM100AM90FG

    Tabla de datos

    - SP6 Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1000V (1kV) 78A 105mOhm @ 39A, 10V 5V @ 10mA 744nC @ 10V 20700pF @ 25V 1250W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP6
    APTM120A15FG

    APTM120A15FG

    MOSFET 2N-CH 1200V 60A SP6

    Microchip Technology

    0
    RFQ
    APTM120A15FG

    Tabla de datos

    - SP6 Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 60A 175mOhm @ 30A, 10V 5V @ 10mA 748nC @ 10V 20600pF @ 25V 1250W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP6
    APTM100H18FG

    APTM100H18FG

    MOSFET 4N-CH 1000V 43A SP6

    Microchip Technology

    0
    RFQ
    APTM100H18FG

    Tabla de datos

    - SP6 Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 4 N-Channel (Full Bridge) - 1000V (1kV) 43A 210mOhm @ 21.5A, 10V 5V @ 5mA 372nC @ 10V 10400pF @ 25V 780W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP6
    APTM120H29FG

    APTM120H29FG

    MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6

    Microchip Technology

    0
    RFQ
    APTM120H29FG

    Tabla de datos

    POWER MOS 7® SP6 Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 4 N-Channel (Full Bridge) - 1200V (1.2kV) 34A 348mOhm @ 17A, 10V 5V @ 5mA 374nC @ 10V 10300pF @ 25V 780W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP6
    APTM100TA35SCTPG

    APTM100TA35SCTPG

    MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P

    Microchip Technology

    0
    RFQ
    APTM100TA35SCTPG

    Tabla de datos

    POWER MOS 7® Module Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) - 1000V (1kV) 22A 420mOhm @ 11A, 10V 5V @ 2.5mA 186nC @ 10V 5200pF @ 25V 390W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP6-P
    MSCSM120HM16CT3AG

    MSCSM120HM16CT3AG

    MOSFET 4N-CH 1200V 173A SP3F

    Microchip Technology

    0
    RFQ
    MSCSM120HM16CT3AG

    Tabla de datos

    - Module Tube Active Silicon Carbide (SiC) 4 N-Channel - 1200V (1.2kV) 173A (Tc) 16mOhm @ 80A, 20V 2.8V @ 2mA 464nC @ 20V 6040pF @ 1000V 745W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount SP3F
    APTC60TAM21SCTPAG

    APTC60TAM21SCTPAG

    MOSFET 6N-CH 600V 116A SP6-P

    Microchip Technology

    0
    RFQ
    APTC60TAM21SCTPAG

    Tabla de datos

    CoolMOS™ Module Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) - 600V 116A 21mOhm @ 88A, 10V 3.6V @ 6mA 580nC @ 10V 13000pF @ 100V 625W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP6-P
    APTMC170AM60CT1AG

    APTMC170AM60CT1AG

    MOSFET 2N-CH 1700V 50A SP1

    Microchip Technology

    0
    RFQ
    APTMC170AM60CT1AG

    Tabla de datos

    - SP1 Bulk Obsolete Silicon Carbide (SiC) 2 N Channel (Phase Leg) - 1700V (1.7kV) 50A (Tc) 60mOhm @ 50A, 20V 2.3V @ 2.5mA (Typ) 190nC @ 20V 3080pF @ 1000V 350W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP1
    MSCSM70HM05CAG

    MSCSM70HM05CAG

    SIC MOSFET

    Microchip Technology

    0
    RFQ

    -

    - - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
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