Hola!! Ahora
+8619886240609(Alice)
+8619886240609(Alice)
Mi cuenta
0Vishay Siliconix SISS08DN-T1-GE3
- Número de pieza.:
- SISS08DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Categoría:
- FET, MOSFET
- Paquete:
- PowerPAK® 1212-8S
- Datasheet:
-
SISS08DN-T1-GE3.pdf
- Descripción:
- MOSFET N-CH 25V 53.9/195.5A PPAK
- Cantidad:
- Pago:
- Buques:
Detalles del producto
- Especificaciones
- Preguntas Frecuentes
- Comparación
- Etiquetas
- Atributos del producto
- Valor del atributo
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Serie:
- TrenchFET® Gen IV
- Paquete/Caja:
- PowerPAK® 1212-8S
- Embalaje:
- Tape & Reel (TR)
- Estado del producto:
- Active
- Tipo FET:
- N-Channel
- Tecnología:
- MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):
- 25 V
- Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
- 53.9A (Ta), 195.5A (Tc)
- Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado):
- 4.5V, 10V
- Rds activado (máx.) a Id, Vgs:
- 1.23mOhm @ 15A, 10V
- Vgs(th) (máx.) a Id:
- 2.2V @ 250µA
- Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs:
- 82 nC @ 10 V
- Vgs (máx.):
- +20V, -16V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds:
- 3670 pF @ 12.5 V
- Característica FET:
- -
- Disipación de potencia (máx.):
- 5W (Ta), 65.7W (Tc)
- Temperatura de funcionamiento:
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grado:
- -
- Calificación:
- -
- Tipo de montaje:
- Surface Mount
- Proveedor Dispositivo Paquete:
- PowerPAK® 1212-8S
Inventario:2,890
Por favor, envíe una consulta.Por favor, envíenos su pregunta y responderemos de inmediato.
-
BSZ180P03NS3EGATMA1
Infineon Technologies
-
SIRA14DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
-
AO4419
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
-
SISA14BDN-T1-GE3
Vishay Siliconix
-
PSMN9R5-30YLC,115
Nexperia USA Inc.
-
BUK9Y21-40E,115
Nexperia USA Inc.
- Envío rápido La puerta rápida y convenienteEntrega a domicilio.
- Seguridad de pago Más de 5 diferentes métodos de pago seguro.
- Estricto Control de calidad 365 días de servicio post-venta y garantía
- Simple y profesional Soluciones de adquisición electrónica integral.
