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Vishay Siliconix SIR820DP-T1-GE3
- Número de pieza.:
- SIR820DP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Categoría:
- FET, MOSFET
- Paquete:
- PowerPAK® SO-8
- Datasheet:
-
SIR820DP-T1-GE3.pdf
- Descripción:
- MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
- Cantidad:
- Pago:
- Buques:
Detalles del producto
- Especificaciones
- Preguntas Frecuentes
- Comparación
- Etiquetas
- Atributos del producto
- Valor del atributo
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Serie:
- -
- Paquete/Caja:
- PowerPAK® SO-8
- Embalaje:
- Tape & Reel (TR)
- Estado del producto:
- Active
- Tipo FET:
- N-Channel
- Tecnología:
- MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):
- 30 V
- Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
- 40A (Tc)
- Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado):
- 4.5V, 10V
- Rds activado (máx.) a Id, Vgs:
- 3mOhm @ 15A, 10V
- Vgs(th) (máx.) a Id:
- 2.4V @ 250µA
- Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs:
- 95 nC @ 10 V
- Vgs (máx.):
- ±20V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds:
- 3512 pF @ 15 V
- Característica FET:
- -
- Disipación de potencia (máx.):
- 37.8W (Tc)
- Temperatura de funcionamiento:
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grado:
- -
- Calificación:
- -
- Tipo de montaje:
- Surface Mount
- Proveedor Dispositivo Paquete:
- PowerPAK® SO-8
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Actualmente, KATY Electronic Technology Co., LTD solo proporciona procesamiento de pedidos entre pares. Al enviar una solicitud de cotización (RFQ), nuestro agente profesional se pondrá en contacto con usted con precios competitivos en el mercado global, y le guiará para finalizar el pedido si acepta nuestras ofertas.
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3. ¿Son precisos el precio y el inventario mostrados de SIR820DP-T1-GE3?
El precio y el inventario de SIR820DP-T1-GE3 fluctúan frecuentemente y no siempre se actualizan en tiempo real, aunque se actualizan periódicamente cada 24 horas. Además, nuestras cotizaciones suelen expirar después de 5 días.
4. ¿Qué formas de pago se aceptan?
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6. ¿Cuál es el proceso para devolver o reemplazar SIR820DP-T1-GE3?
Todos los productos pasan por una Inspección Previa al Envío (PSI), seleccionada aleatoriamente entre los lotes del pedido para una inspección sistemática antes del envío. Aceptamos devoluciones o reemplazos de SIR820DP-T1-GE3 solo si se cumplen todas las siguientes condiciones:
(1) Deficiencias en cantidad, entrega de artículos erróneos o defectos externos evidentes (roturas, óxido, etc.), y que reconozcamos dichos problemas.
(2) Se nos informa del defecto mencionado dentro de los 90 días posteriores a la entrega de SIR820DP-T1-GE3.
(3) El número de parte no se ha usado y está en su empaque original sin abrir.
Dos pasos para devolver productos:
(1) Informarnos dentro de los 90 días
(2) Obtener la Autorización de Devolución
7. ¿Cómo contactarnos para obtener soporte técnico, como el diagrama de pines o la hoja de datos de SIR820DP-T1-GE3?
Si necesita cualquier servicio postventa, no dude en contactarnos.
| Imagen |  |
| Número de pieza | SIR820DP-T1-GE3 |
| Fabricante | Vishay Siliconix |
| Serie | - |
| Paquete/Caja | PowerPAK® SO-8 |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Estado del producto | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | 40A (Tc) |
| Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | 4.5V, 10V |
| Rds activado (máx.) a Id, Vgs | 3mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs(th) (máx.) a Id | 2.4V @ 250µA |
| Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 95 nC @ 10 V |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 3512 pF @ 15 V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (máx.) | 37.8W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Grado | - |
| Calificación | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Proveedor Dispositivo Paquete | PowerPAK® SO-8 |
Inventario:4,143
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