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Vishay Siliconix SIR582DP-T1-BE3
- Número de pieza.:
- SIR582DP-T1-BE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Categoría:
- FET, MOSFET
- Paquete:
- PowerPAK® SO-8
- Datasheet:
-
SIR582DP-T1-BE3.pdf
- Descripción:
- N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150
- Cantidad:
- Pago:
- Buques:
Detalles del producto
- Especificaciones
- Preguntas Frecuentes
- Comparación
- Etiquetas
- Atributos del producto
- Valor del atributo
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Serie:
- TrenchFET® Gen V
- Paquete/Caja:
- PowerPAK® SO-8
- Embalaje:
- Tape & Reel (TR)
- Estado del producto:
- Active
- Tipo FET:
- N-Channel
- Tecnología:
- MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):
- 80 V
- Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
- 28.9A (Ta), 116A (Tc)
- Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado):
- 7.5V, 10V
- Rds activado (máx.) a Id, Vgs:
- 3.4mOhm @ 15A, 10V
- Vgs(th) (máx.) a Id:
- 4V @ 250µA
- Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs:
- 67 nC @ 10 V
- Vgs (máx.):
- ±20V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds:
- 3360 pF @ 40 V
- Característica FET:
- -
- Disipación de potencia (máx.):
- 5.6W (Ta), 92.5W (Tc)
- Temperatura de funcionamiento:
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grado:
- -
- Calificación:
- -
- Tipo de montaje:
- Surface Mount
- Proveedor Dispositivo Paquete:
- PowerPAK® SO-8
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(2) Se nos informa del defecto mencionado dentro de los 90 días posteriores a la entrega de SIR582DP-T1-BE3.
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Dos pasos para devolver productos:
(1) Informarnos dentro de los 90 días
(2) Obtener la Autorización de Devolución
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Si necesita cualquier servicio postventa, no dude en contactarnos.
| Imagen |  |
 |
| Número de pieza | SIR582DP-T1-RE3 | SIR582DP-T1-BE3 |
| Fabricante | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® Gen V | TrenchFET® Gen V |
| Paquete/Caja | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| Estado del producto | Active | Active |
| Tipo FET | N-Channel | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 80 V | 80 V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | 28.9A (Ta), 116A (Tc) | 28.9A (Ta), 116A (Tc) |
| Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | 7.5V, 10V | 7.5V, 10V |
| Rds activado (máx.) a Id, Vgs | 3.4mOhm @ 15A, 10V | 3.4mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs(th) (máx.) a Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 67 nC @ 10 V | 67 nC @ 10 V |
| Vgs (máx.) | ±20V | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 3360 pF @ 40 V | 3360 pF @ 40 V |
| Característica FET | - | - |
| Disipación de potencia (máx.) | 5.6W (Ta), 92.5W (Tc) | 5.6W (Ta), 92.5W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Grado | - | - |
| Calificación | - | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Proveedor Dispositivo Paquete | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
Inventario:0
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