El paquete de semiconductores es una carcasa que encierra y protege componentes semiconductores o circuitos integrados, hechos de metal, plástico, vidrio o cerámica.

¿Cuál es la tensión de salida máxima

La tensión máxima de salida se refiere a la zona dinámica más allá de la cual la salida se satura en la dirección positiva o negativa, y se limita de acuerdo con el valor de resistencia de carga. At es la tensión de salida máxima?

¿Qué es el Pitch Terminal

La distancia central de un polo al siguiente.

¿Qué es la forma Terminal

Que ocurra al final de una serie, sucesión o similar, o que forme el final de una misma; Cierre; Concluyendo.

¿Cuál es la característica adicional?

Cualquier característica, incluyendo una característica existente modificada, que no sea una característica existente.

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Vishay Siliconix SIDR402DP-T1-GE3

Name: SIDR402DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIDR402DP-T1-GE3
Price: 2.40 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (2 reviews)

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Número de pieza.:: SIDR402DP-T1-GE3

Fabricante:: Vishay Siliconix

Categoría:: FET, MOSFET

Paquete:: PowerPAK® SO-8

Datasheet:: SIDR402DP-T1-GE3.pdf

Descripción:: MOSFET N-CH 40V 64.6A/100A PPAK

Cantidad:: RFQ Añadir lista

Pago:

Buques:

Detalles del producto

Especificaciones
Preguntas Frecuentes
Comparación
Etiquetas

Atributos del producto: Valor del atributo

Fabricante:: Vishay Siliconix

Serie:: TrenchFET® Gen IV

Paquete/Caja:: PowerPAK® SO-8

Embalaje:: Tape & Reel (TR)

Estado del producto:: Active

Tipo FET:: N-Channel

Tecnología:: MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):: 40 V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:: 64.6A (Ta), 100A (Tc)

Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado):: 4.5V, 10V

Rds activado (máx.) a Id, Vgs:: 0.88mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (máx.) a Id:: 2.3V @ 250µA

Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs:: 165 nC @ 10 V

Vgs (máx.):: +20V, -16V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds:: 9100 pF @ 20 V

Característica FET:: -

Disipación de potencia (máx.):: 6.25W (Ta), 125W (Tc)

Temperatura de funcionamiento:: -55°C ~ 150°C (TJ)

Grado:: -

Calificación:: -

Tipo de montaje:: Surface Mount

Proveedor Dispositivo Paquete:: PowerPAK® SO-8DC

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Actualmente, KATY Electronic Technology Co., LTD solo proporciona procesamiento de pedidos entre pares. Al enviar una solicitud de cotización (RFQ), nuestro agente profesional se pondrá en contacto con usted con precios competitivos en el mercado global, y le guiará para finalizar el pedido si acepta nuestras ofertas.

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Contamos con un equipo profesional y experimentado de control de calidad que verifica y prueba estrictamente el producto SIDR402DP-T1-GE3. Todos los proveedores deben pasar nuestras revisiones de calificación antes de poder publicar sus productos, incluido SIDR402DP-T1-GE3, en KATY Electronic Technology Co., LTD; prestamos más atención a los canales y la calidad de los productos que cualquier otro cliente. Implementamos auditorías estrictas a los proveedores, por lo que puede comprar con confianza.

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El precio y el inventario de SIDR402DP-T1-GE3 fluctúan frecuentemente y no siempre se actualizan en tiempo real, aunque se actualizan periódicamente cada 24 horas. Además, nuestras cotizaciones suelen expirar después de 5 días.

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Se aceptan Transferencia Bancaria, PayPal, Alipay, Wechat, Tarjeta de Crédito, Western Union, MoneyGram y Escrow.

Consejo: Algunos pedidos pueden requerir una tarifa de manejo dependiendo del método de pago.

5. ¿Cómo se organiza el envío?

Los clientes pueden elegir entre empresas líderes en logística como DHL, UPS, FedEx, TNT y Correo Registrado. También se ofrece seguro de envío.

Una vez que su pedido esté listo para ser enviado, nuestro vendedor le enviará un correo electrónico con el estado del envío y el número de seguimiento.

Consejo: Puede tardar hasta 24 horas en que el transportista muestre la información de seguimiento. Normalmente, el envío exprés tarda de 3 a 5 días, y el correo registrado de 25 a 60 días.

6. ¿Cuál es el proceso para devolver o reemplazar SIDR402DP-T1-GE3?

Todos los productos pasan por una Inspección Previa al Envío (PSI), seleccionada aleatoriamente entre los lotes del pedido para una inspección sistemática antes del envío. Aceptamos devoluciones o reemplazos de SIDR402DP-T1-GE3 solo si se cumplen todas las siguientes condiciones:

(1) Deficiencias en cantidad, entrega de artículos erróneos o defectos externos evidentes (roturas, óxido, etc.), y que reconozcamos dichos problemas.

(2) Se nos informa del defecto mencionado dentro de los 90 días posteriores a la entrega de SIDR402DP-T1-GE3.

(3) El número de parte no se ha usado y está en su empaque original sin abrir.

Dos pasos para devolver productos:

(1) Informarnos dentro de los 90 días

(2) Obtener la Autorización de Devolución

7. ¿Cómo contactarnos para obtener soporte técnico, como el diagrama de pines o la hoja de datos de SIDR402DP-T1-GE3?

Si necesita cualquier servicio postventa, no dude en contactarnos.

Imagen
Número de pieza	SIDR402DP-T1-RE3	SIDR402DP-T1-GE3
Fabricante	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV	TrenchFET® Gen IV
Paquete/Caja	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
Embalaje	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Estado del producto	Active	Active
Tipo FET	N-Channel	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V	40 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C	64.6A (Ta), 100A (Tc)	64.6A (Ta), 100A (Tc)
Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado)	4.5V, 10V	4.5V, 10V
Rds activado (máx.) a Id, Vgs	0.88mOhm @ 20A, 10V	0.88mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) a Id	2.3V @ 250µA	2.3V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	165 nC @ 10 V	165 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	+20V, -16V	+20V, -16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	9100 pF @ 20 V	9100 pF @ 20 V
Característica FET	-	-
Disipación de potencia (máx.)	6.25W (Ta), 125W (Tc)	6.25W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-	-
Calificación	-	-
Tipo de montaje	Surface Mount	Surface Mount
Proveedor Dispositivo Paquete	PowerPAK® SO-8DC	PowerPAK® SO-8DC