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Vishay Siliconix SI5517DU-T1-E3
- Número de pieza.:
- SI5517DU-T1-E3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Categoría:
- Matrices de FET, MOSFET
- Paquete:
- PowerPAK® ChipFET™ Dual
- Datasheet:
-
SI5517DU-T1-E3.pdf
- Descripción:
- MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
- Cantidad:
- Pago:
- Buques:
Detalles del producto
- Especificaciones
- Preguntas Frecuentes
- Comparación
- Etiquetas
- Atributos del producto
- Valor del atributo
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Serie:
- TrenchFET®
- Paquete/Caja:
- PowerPAK® ChipFET™ Dual
- Embalaje:
- Tape & Reel (TR)
- Estado del producto:
- Obsolete
- Tecnología:
- MOSFET (Metal Oxide)
- Configuración:
- N and P-Channel
- Característica FET:
- Logic Level Gate
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):
- 20V
- Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
- 6A
- Rds activado (máx.) a Id, Vgs:
- 39mOhm @ 4.4A, 4.5V
- Vgs(th) (máx.) a Id:
- 1V @ 250µA
- Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs:
- 16nC @ 8V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds:
- 520pF @ 10V
- Potencia: máx.:
- 8.3W
- Temperatura de funcionamiento:
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grado:
- -
- Calificación:
- -
- Tipo de montaje:
- Surface Mount
- Proveedor Dispositivo Paquete:
- PowerPAK® ChipFet Dual
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(2) Se nos informa del defecto mencionado dentro de los 90 días posteriores a la entrega de SI5517DU-T1-E3.
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Dos pasos para devolver productos:
(1) Informarnos dentro de los 90 días
(2) Obtener la Autorización de Devolución
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Si necesita cualquier servicio postventa, no dude en contactarnos.
| Imagen |  |
|
| Número de pieza | SI5517DU-T1-GE3 | SI5517DU-T1-E3 |
| Fabricante | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® | TrenchFET® |
| Paquete/Caja | PowerPAK® ChipFET™ Dual | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| Estado del producto | Obsolete | Obsolete |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuración | N and P-Channel | N and P-Channel |
| Característica FET | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 20V | 20V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | 6A | 6A |
| Rds activado (máx.) a Id, Vgs | 39mOhm @ 4.4A, 4.5V | 39mOhm @ 4.4A, 4.5V |
| Vgs(th) (máx.) a Id | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA |
| Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 16nC @ 8V | 16nC @ 8V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 520pF @ 10V | 520pF @ 10V |
| Potencia: máx. | 8.3W | 8.3W |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Grado | - | - |
| Calificación | - | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Proveedor Dispositivo Paquete | PowerPAK® ChipFet Dual | PowerPAK® ChipFet Dual |
Inventario:0
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