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Vishay Siliconix SI5513DC-T1-E3
- Número de pieza.:
- SI5513DC-T1-E3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Categoría:
- Matrices de FET, MOSFET
- Paquete:
- 8-SMD, Flat Leads
- Descripción:
- MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8
- Cantidad:
- Pago:
- Buques:
Detalles del producto
- Especificaciones
- Preguntas Frecuentes
- Comparación
- Etiquetas
- Atributos del producto
- Valor del atributo
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Serie:
- TrenchFET®
- Paquete/Caja:
- 8-SMD, Flat Leads
- Embalaje:
- Tape & Reel (TR)
- Estado del producto:
- Obsolete
- Tecnología:
- MOSFET (Metal Oxide)
- Configuración:
- N and P-Channel
- Característica FET:
- Logic Level Gate
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):
- 20V
- Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
- 3.1A, 2.1A
- Rds activado (máx.) a Id, Vgs:
- 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
- Vgs(th) (máx.) a Id:
- 1.5V @ 250µA
- Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs:
- 6nC @ 4.5V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds:
- -
- Potencia: máx.:
- 1.1W
- Temperatura de funcionamiento:
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grado:
- -
- Calificación:
- -
- Tipo de montaje:
- Surface Mount
- Proveedor Dispositivo Paquete:
- 1206-8 ChipFET™
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El precio y el inventario de SI5513DC-T1-E3 fluctúan frecuentemente y no siempre se actualizan en tiempo real, aunque se actualizan periódicamente cada 24 horas. Además, nuestras cotizaciones suelen expirar después de 5 días.
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6. ¿Cuál es el proceso para devolver o reemplazar SI5513DC-T1-E3?
Todos los productos pasan por una Inspección Previa al Envío (PSI), seleccionada aleatoriamente entre los lotes del pedido para una inspección sistemática antes del envío. Aceptamos devoluciones o reemplazos de SI5513DC-T1-E3 solo si se cumplen todas las siguientes condiciones:
(1) Deficiencias en cantidad, entrega de artículos erróneos o defectos externos evidentes (roturas, óxido, etc.), y que reconozcamos dichos problemas.
(2) Se nos informa del defecto mencionado dentro de los 90 días posteriores a la entrega de SI5513DC-T1-E3.
(3) El número de parte no se ha usado y está en su empaque original sin abrir.
Dos pasos para devolver productos:
(1) Informarnos dentro de los 90 días
(2) Obtener la Autorización de Devolución
7. ¿Cómo contactarnos para obtener soporte técnico, como el diagrama de pines o la hoja de datos de SI5513DC-T1-E3?
Si necesita cualquier servicio postventa, no dude en contactarnos.
| Imagen |  |
|
| Número de pieza | SI5513DC-T1-E3 | SI5513DC-T1-GE3 |
| Fabricante | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® | TrenchFET® |
| Paquete/Caja | 8-SMD, Flat Leads | 8-SMD, Flat Leads |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| Estado del producto | Obsolete | Obsolete |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuración | N and P-Channel | N and P-Channel |
| Característica FET | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 20V | 20V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | 3.1A, 2.1A | 3.1A, 2.1A |
| Rds activado (máx.) a Id, Vgs | 75mOhm @ 3.1A, 4.5V | 75mOhm @ 3.1A, 4.5V |
| Vgs(th) (máx.) a Id | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA |
| Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 6nC @ 4.5V | 6nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | - | - |
| Potencia: máx. | 1.1W | 1.1W |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Grado | - | - |
| Calificación | - | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Proveedor Dispositivo Paquete | 1206-8 ChipFET™ | 1206-8 ChipFET™ |
Inventario:0
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