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Vishay Siliconix SI4952DY-T1-GE3
- Número de pieza.:
- SI4952DY-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Categoría:
- Matrices de FET, MOSFET
- Paquete:
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Datasheet:
-
SI4952DY-T1-GE3.pdf
- Descripción:
- MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
- Cantidad:
- Pago:
- Buques:
Detalles del producto
- Especificaciones
- Preguntas Frecuentes
- Comparación
- Etiquetas
- Atributos del producto
- Valor del atributo
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Serie:
- TrenchFET®
- Paquete/Caja:
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Embalaje:
- Tape & Reel (TR)
- Estado del producto:
- Obsolete
- Tecnología:
- MOSFET (Metal Oxide)
- Configuración:
- 2 N-Channel (Dual)
- Característica FET:
- Logic Level Gate
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):
- 25V
- Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
- 8A
- Rds activado (máx.) a Id, Vgs:
- 23mOhm @ 7A, 10V
- Vgs(th) (máx.) a Id:
- 2.2V @ 250µA
- Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs:
- 18nC @ 10V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds:
- 680pF @ 13V
- Potencia: máx.:
- 2.8W
- Temperatura de funcionamiento:
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grado:
- -
- Calificación:
- -
- Tipo de montaje:
- Surface Mount
- Proveedor Dispositivo Paquete:
- 8-SOIC
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(1) Informarnos dentro de los 90 días
(2) Obtener la Autorización de Devolución
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Si necesita cualquier servicio postventa, no dude en contactarnos.
| Imagen |  |
|
| Número de pieza | SI4952DY-T1-GE3 | SI4952DY-T1-E3 |
| Fabricante | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® | TrenchFET® |
| Paquete/Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| Estado del producto | Obsolete | Obsolete |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuración | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica FET | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 25V | 25V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | 8A | 8A |
| Rds activado (máx.) a Id, Vgs | 23mOhm @ 7A, 10V | 23mOhm @ 7A, 10V |
| Vgs(th) (máx.) a Id | 2.2V @ 250µA | 2.2V @ 250µA |
| Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 18nC @ 10V | 18nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 680pF @ 13V | 680pF @ 13V |
| Potencia: máx. | 2.8W | 2.8W |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Grado | - | - |
| Calificación | - | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Proveedor Dispositivo Paquete | 8-SOIC | 8-SOIC |
Inventario:0
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