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Vishay Siliconix SI4425BDY-T1-E3
- Número de pieza.:
- SI4425BDY-T1-E3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Categoría:
- FET, MOSFET
- Paquete:
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Datasheet:
-
SI4425BDY-T1-E3.pdf
- Descripción:
- MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO
- Cantidad:
- Pago:
- Buques:
Detalles del producto
- Especificaciones
- Preguntas Frecuentes
- Comparación
- Etiquetas
- Atributos del producto
- Valor del atributo
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Serie:
- TrenchFET®
- Paquete/Caja:
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Embalaje:
- Tape & Reel (TR)
- Estado del producto:
- Last Time Buy
- Tipo FET:
- P-Channel
- Tecnología:
- MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):
- 30 V
- Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
- 8.8A (Ta)
- Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado):
- 4.5V, 10V
- Rds activado (máx.) a Id, Vgs:
- 12mOhm @ 11.4A, 10V
- Vgs(th) (máx.) a Id:
- 3V @ 250µA
- Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs:
- 100 nC @ 10 V
- Vgs (máx.):
- ±20V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds:
- -
- Característica FET:
- -
- Disipación de potencia (máx.):
- 1.5W (Ta)
- Temperatura de funcionamiento:
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grado:
- -
- Calificación:
- -
- Tipo de montaje:
- Surface Mount
- Proveedor Dispositivo Paquete:
- 8-SOIC
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| Imagen |  |
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| Número de pieza | SI4425BDY-T1-E3 | SI4425BDY-T1-GE3 |
| Fabricante | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® | TrenchFET® |
| Paquete/Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| Estado del producto | Last Time Buy | Obsolete |
| Tipo FET | P-Channel | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V | 30 V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | 8.8A (Ta) | 8.8A (Ta) |
| Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| Rds activado (máx.) a Id, Vgs | 12mOhm @ 11.4A, 10V | 12mOhm @ 11.4A, 10V |
| Vgs(th) (máx.) a Id | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 100 nC @ 10 V | 100 nC @ 10 V |
| Vgs (máx.) | ±20V | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | - | - |
| Característica FET | - | - |
| Disipación de potencia (máx.) | 1.5W (Ta) | 1.5W (Ta) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Grado | - | - |
| Calificación | - | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Proveedor Dispositivo Paquete | 8-SOIC | 8-SOIC |
Inventario:1,347
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