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Vishay Siliconix SI2392DS-T1-GE3
- Número de pieza.:
- SI2392DS-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Categoría:
- FET, MOSFET
- Paquete:
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Datasheet:
-
SI2392DS-T1-GE3.pdf
- Descripción:
- MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23
- Cantidad:
- Pago:
- Buques:
Detalles del producto
- Especificaciones
- Preguntas Frecuentes
- Comparación
- Etiquetas
- Atributos del producto
- Valor del atributo
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Serie:
- TrenchFET®
- Paquete/Caja:
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Embalaje:
- Tape & Reel (TR)
- Estado del producto:
- Obsolete
- Tipo FET:
- N-Channel
- Tecnología:
- MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):
- 100 V
- Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
- 3.1A (Tc)
- Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado):
- 4.5V, 10V
- Rds activado (máx.) a Id, Vgs:
- 126mOhm @ 2A, 10V
- Vgs(th) (máx.) a Id:
- 3V @ 250µA
- Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs:
- 10.4 nC @ 10 V
- Vgs (máx.):
- ±20V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds:
- 196 pF @ 50 V
- Característica FET:
- -
- Disipación de potencia (máx.):
- 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
- Temperatura de funcionamiento:
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grado:
- -
- Calificación:
- -
- Tipo de montaje:
- Surface Mount
- Proveedor Dispositivo Paquete:
- SOT-23
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Todos los productos pasan por una Inspección Previa al Envío (PSI), seleccionada aleatoriamente entre los lotes del pedido para una inspección sistemática antes del envío. Aceptamos devoluciones o reemplazos de SI2392DS-T1-GE3 solo si se cumplen todas las siguientes condiciones:
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(2) Se nos informa del defecto mencionado dentro de los 90 días posteriores a la entrega de SI2392DS-T1-GE3.
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(1) Informarnos dentro de los 90 días
(2) Obtener la Autorización de Devolución
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Si necesita cualquier servicio postventa, no dude en contactarnos.
| Imagen |  |
| Número de pieza | SI2392DS-T1-GE3 |
| Fabricante | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| Paquete/Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Estado del producto | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | 3.1A (Tc) |
| Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | 4.5V, 10V |
| Rds activado (máx.) a Id, Vgs | 126mOhm @ 2A, 10V |
| Vgs(th) (máx.) a Id | 3V @ 250µA |
| Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 10.4 nC @ 10 V |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 196 pF @ 50 V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (máx.) | 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Grado | - |
| Calificación | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Proveedor Dispositivo Paquete | SOT-23 |
Inventario:2,951
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