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Vishay Siliconix SI1036X-T1-GE3
- Número de pieza.:
- SI1036X-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Categoría:
- Matrices de FET, MOSFET
- Paquete:
- SOT-563, SOT-666
- Datasheet:
-
SI1036X-T1-GE3.pdf
- Descripción:
- MOSFET 2N-CH 30V 0.61A SC89-6
- Cantidad:
- Pago:
- Buques:
Detalles del producto
- Especificaciones
- Preguntas Frecuentes
- Comparación
- Etiquetas
- Atributos del producto
- Valor del atributo
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Serie:
- TrenchFET®
- Paquete/Caja:
- SOT-563, SOT-666
- Embalaje:
- Tape & Reel (TR)
- Estado del producto:
- Active
- Tecnología:
- MOSFET (Metal Oxide)
- Configuración:
- 2 N-Channel (Dual)
- Característica FET:
- -
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):
- 30V
- Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
- 610mA (Ta)
- Rds activado (máx.) a Id, Vgs:
- 540mOhm @ 500mA, 4.5V
- Vgs(th) (máx.) a Id:
- 1V @ 250µA
- Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs:
- 1.2nC @ 4.5V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds:
- 36pF @ 15V
- Potencia: máx.:
- 220mW
- Temperatura de funcionamiento:
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grado:
- -
- Calificación:
- -
- Tipo de montaje:
- Surface Mount
- Proveedor Dispositivo Paquete:
- SC-89-6
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El precio y el inventario de SI1036X-T1-GE3 fluctúan frecuentemente y no siempre se actualizan en tiempo real, aunque se actualizan periódicamente cada 24 horas. Además, nuestras cotizaciones suelen expirar después de 5 días.
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(2) Se nos informa del defecto mencionado dentro de los 90 días posteriores a la entrega de SI1036X-T1-GE3.
(3) El número de parte no se ha usado y está en su empaque original sin abrir.
Dos pasos para devolver productos:
(1) Informarnos dentro de los 90 días
(2) Obtener la Autorización de Devolución
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Si necesita cualquier servicio postventa, no dude en contactarnos.
| Imagen |  |
| Número de pieza | SI1036X-T1-GE3 |
| Fabricante | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| Paquete/Caja | SOT-563, SOT-666 |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Estado del producto | Active |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuración | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica FET | - |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | 610mA (Ta) |
| Rds activado (máx.) a Id, Vgs | 540mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Vgs(th) (máx.) a Id | 1V @ 250µA |
| Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 1.2nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 36pF @ 15V |
| Potencia: máx. | 220mW |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Grado | - |
| Calificación | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Proveedor Dispositivo Paquete | SC-89-6 |
Inventario:6,409
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