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Toshiba Semiconductor and Storage TW070J120B,S1Q
- Número de pieza.:
- TW070J120B,S1Q
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Categoría:
- FET, MOSFET
- Paquete:
- TO-3P-3, SC-65-3
- Datasheet:
-
TW070J120B,S1Q.pdf
- Descripción:
- SICFET N-CH 1200V 36A TO3P
- Cantidad:
- Pago:
- Buques:
Detalles del producto
- Especificaciones
- Preguntas Frecuentes
- Comparación
- Etiquetas
- Atributos del producto
- Valor del atributo
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Serie:
- -
- Paquete/Caja:
- TO-3P-3, SC-65-3
- Embalaje:
- Tube
- Estado del producto:
- Active
- Tipo FET:
- N-Channel
- Tecnología:
- SiCFET (Silicon Carbide)
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):
- 1200 V
- Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
- 36A (Tc)
- Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado):
- 20V
- Rds activado (máx.) a Id, Vgs:
- 90mOhm @ 18A, 20V
- Vgs(th) (máx.) a Id:
- 5.8V @ 20mA
- Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs:
- 67 nC @ 20 V
- Vgs (máx.):
- ±25V, -10V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds:
- 1680 pF @ 800 V
- Característica FET:
- -
- Disipación de potencia (máx.):
- 272W (Tc)
- Temperatura de funcionamiento:
- -55°C ~ 175°C
- Grado:
- -
- Calificación:
- -
- Tipo de montaje:
- Through Hole
- Proveedor Dispositivo Paquete:
- TO-3P(N)
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Todos los productos pasan por una Inspección Previa al Envío (PSI), seleccionada aleatoriamente entre los lotes del pedido para una inspección sistemática antes del envío. Aceptamos devoluciones o reemplazos de TW070J120B,S1Q solo si se cumplen todas las siguientes condiciones:
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(2) Se nos informa del defecto mencionado dentro de los 90 días posteriores a la entrega de TW070J120B,S1Q.
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(1) Informarnos dentro de los 90 días
(2) Obtener la Autorización de Devolución
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Si necesita cualquier servicio postventa, no dude en contactarnos.
| Imagen |  |
| Número de pieza | TW070J120B,S1Q |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Paquete/Caja | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Embalaje | Tube |
| Estado del producto | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 1200 V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | 36A (Tc) |
| Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | 20V |
| Rds activado (máx.) a Id, Vgs | 90mOhm @ 18A, 20V |
| Vgs(th) (máx.) a Id | 5.8V @ 20mA |
| Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 67 nC @ 20 V |
| Vgs (máx.) | ±25V, -10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 1680 pF @ 800 V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (máx.) | 272W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C |
| Grado | - |
| Calificación | - |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Proveedor Dispositivo Paquete | TO-3P(N) |
Inventario:0
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