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Toshiba Semiconductor and Storage TK50E06K3A,S1X(S
- Número de pieza.:
- TK50E06K3A,S1X(S
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Categoría:
- FET, MOSFET
- Paquete:
- TO-220-3
- Datasheet:
-
TK50E06K3A,S1X(S.pdf
- Descripción:
- MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
- Cantidad:
- Pago:
- Buques:
Detalles del producto
- Especificaciones
- Preguntas Frecuentes
- Comparación
- Etiquetas
- Atributos del producto
- Valor del atributo
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Serie:
- U-MOSIV
- Paquete/Caja:
- TO-220-3
- Embalaje:
- Tube
- Estado del producto:
- Obsolete
- Tipo FET:
- N-Channel
- Tecnología:
- MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):
- 60 V
- Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
- 50A (Tc)
- Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado):
- -
- Rds activado (máx.) a Id, Vgs:
- 8.5mOhm @ 25A, 10V
- Vgs(th) (máx.) a Id:
- -
- Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs:
- 54 nC @ 10 V
- Vgs (máx.):
- -
- Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds:
- -
- Característica FET:
- -
- Disipación de potencia (máx.):
- -
- Temperatura de funcionamiento:
- -
- Grado:
- -
- Calificación:
- -
- Tipo de montaje:
- Through Hole
- Proveedor Dispositivo Paquete:
- TO-220-3
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(2) Se nos informa del defecto mencionado dentro de los 90 días posteriores a la entrega de TK50E06K3A,S1X(S.
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(1) Informarnos dentro de los 90 días
(2) Obtener la Autorización de Devolución
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Si necesita cualquier servicio postventa, no dude en contactarnos.
| Imagen |  |
| Número de pieza | TK50E06K3A,S1X(S |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | U-MOSIV |
| Paquete/Caja | TO-220-3 |
| Embalaje | Tube |
| Estado del producto | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 60 V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | 50A (Tc) |
| Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | - |
| Rds activado (máx.) a Id, Vgs | 8.5mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs(th) (máx.) a Id | - |
| Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 54 nC @ 10 V |
| Vgs (máx.) | - |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | - |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (máx.) | - |
| Temperatura de funcionamiento | - |
| Grado | - |
| Calificación | - |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Proveedor Dispositivo Paquete | TO-220-3 |
Inventario:0
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