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Toshiba Semiconductor and Storage TK4P55DA(T6RSS-Q)
- Número de pieza.:
- TK4P55DA(T6RSS-Q)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Categoría:
- FET, MOSFET
- Paquete:
- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Descripción:
- MOSFET N-CH 550V 3.5A DPAK
- Cantidad:
- Pago:
- Buques:
Detalles del producto
- Especificaciones
- Preguntas Frecuentes
- Comparación
- Etiquetas
- Atributos del producto
- Valor del atributo
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Serie:
- π-MOSVII
- Paquete/Caja:
- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Embalaje:
- Tape & Reel (TR)
- Estado del producto:
- Active
- Tipo FET:
- N-Channel
- Tecnología:
- MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):
- 550 V
- Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
- 3.5A (Ta)
- Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado):
- 10V
- Rds activado (máx.) a Id, Vgs:
- 2.45Ohm @ 1.8A, 10V
- Vgs(th) (máx.) a Id:
- 4.4V @ 1mA
- Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs:
- 9 nC @ 10 V
- Vgs (máx.):
- ±30V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds:
- 380 pF @ 25 V
- Característica FET:
- -
- Disipación de potencia (máx.):
- 80W (Tc)
- Temperatura de funcionamiento:
- 150°C (TJ)
- Grado:
- -
- Calificación:
- -
- Tipo de montaje:
- Surface Mount
- Proveedor Dispositivo Paquete:
- DPAK
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El precio y el inventario de TK4P55DA(T6RSS-Q) fluctúan frecuentemente y no siempre se actualizan en tiempo real, aunque se actualizan periódicamente cada 24 horas. Además, nuestras cotizaciones suelen expirar después de 5 días.
4. ¿Qué formas de pago se aceptan?
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6. ¿Cuál es el proceso para devolver o reemplazar TK4P55DA(T6RSS-Q)?
Todos los productos pasan por una Inspección Previa al Envío (PSI), seleccionada aleatoriamente entre los lotes del pedido para una inspección sistemática antes del envío. Aceptamos devoluciones o reemplazos de TK4P55DA(T6RSS-Q) solo si se cumplen todas las siguientes condiciones:
(1) Deficiencias en cantidad, entrega de artículos erróneos o defectos externos evidentes (roturas, óxido, etc.), y que reconozcamos dichos problemas.
(2) Se nos informa del defecto mencionado dentro de los 90 días posteriores a la entrega de TK4P55DA(T6RSS-Q).
(3) El número de parte no se ha usado y está en su empaque original sin abrir.
Dos pasos para devolver productos:
(1) Informarnos dentro de los 90 días
(2) Obtener la Autorización de Devolución
7. ¿Cómo contactarnos para obtener soporte técnico, como el diagrama de pines o la hoja de datos de TK4P55DA(T6RSS-Q)?
Si necesita cualquier servicio postventa, no dude en contactarnos.
| Imagen |  |
| Número de pieza | TK4P55DA(T6RSS-Q) |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | π-MOSVII |
| Paquete/Caja | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Estado del producto | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 550 V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | 3.5A (Ta) |
| Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | 10V |
| Rds activado (máx.) a Id, Vgs | 2.45Ohm @ 1.8A, 10V |
| Vgs(th) (máx.) a Id | 4.4V @ 1mA |
| Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 9 nC @ 10 V |
| Vgs (máx.) | ±30V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 380 pF @ 25 V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (máx.) | 80W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Grado | - |
| Calificación | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Proveedor Dispositivo Paquete | DPAK |
Inventario:0
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