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    Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N813R,LF

    Número de pieza.:
    SSM6N813R,LF
    Fabricante:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Categoría:
    Matrices de FET, MOSFET
    Paquete:
    6-SMD, Flat Leads
    Datasheet:
    KATY Electronic Technology Co., LTDSSM6N813R,LF.pdf
    Descripción:
    MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 6TSOPF
    Cantidad:
    Pago:
    Payment
    Buques:
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    Detalles del producto

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    Fabricante:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Serie:
    -
    Paquete/Caja:
    6-SMD, Flat Leads
    Embalaje:
    Tape & Reel (TR)
    Estado del producto:
    Active
    Tecnología:
    MOSFET (Metal Oxide)
    Configuración:
    2 N-Channel (Dual)
    Característica FET:
    -
    Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):
    100V
    Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
    3.5A (Ta)
    Rds activado (máx.) a Id, Vgs:
    112mOhm @ 3.5A, 10V
    Vgs(th) (máx.) a Id:
    2.5V @ 100µA
    Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs:
    3.6nC @ 4.5V
    Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds:
    242pF @ 15V
    Potencia: máx.:
    1.5W (Ta)
    Temperatura de funcionamiento:
    175°C
    Grado:
    Automotive
    Calificación:
    AEC-Q101
    Tipo de montaje:
    Surface Mount
    Proveedor Dispositivo Paquete:
    6-TSOP-F

    Inventario:3,822

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    SSM6N7002KFU,LF
    SSM6N7002KFU,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    2N7002DW-7-F
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    SSM6L56FE,LM
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    SSM6N37FU,LF
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    Toshiba Semiconductor and Storage

    2N7002DWH6327XTSA1
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    2N7002BKS,115
    2N7002BKS,115

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