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Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K315T(TE85L,F)
- Número de pieza.:
- SSM3K315T(TE85L,F)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Categoría:
- FET, MOSFET
- Paquete:
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Datasheet:
-
SSM3K315T(TE85L,F).pdf
- Descripción:
- MOSFET N-CH 30V 6A TSM
- Cantidad:
- Pago:
- Buques:
Detalles del producto
- Especificaciones
- Preguntas Frecuentes
- Comparación
- Etiquetas
- Atributos del producto
- Valor del atributo
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Serie:
- U-MOSIV
- Paquete/Caja:
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Embalaje:
- Tape & Reel (TR)
- Estado del producto:
- Obsolete
- Tipo FET:
- N-Channel
- Tecnología:
- MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):
- 30 V
- Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
- 6A (Ta)
- Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado):
- 4.5V, 10V
- Rds activado (máx.) a Id, Vgs:
- 27.6mOhm @ 4A, 10V
- Vgs(th) (máx.) a Id:
- 2.5V @ 1mA
- Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs:
- 10.1 nC @ 10 V
- Vgs (máx.):
- ±20V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds:
- 450 pF @ 15 V
- Característica FET:
- -
- Disipación de potencia (máx.):
- 700mW (Ta)
- Temperatura de funcionamiento:
- 150°C (TJ)
- Grado:
- -
- Calificación:
- -
- Tipo de montaje:
- Surface Mount
- Proveedor Dispositivo Paquete:
- TSM
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Todos los productos pasan por una Inspección Previa al Envío (PSI), seleccionada aleatoriamente entre los lotes del pedido para una inspección sistemática antes del envío. Aceptamos devoluciones o reemplazos de SSM3K315T(TE85L,F) solo si se cumplen todas las siguientes condiciones:
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(2) Se nos informa del defecto mencionado dentro de los 90 días posteriores a la entrega de SSM3K315T(TE85L,F).
(3) El número de parte no se ha usado y está en su empaque original sin abrir.
Dos pasos para devolver productos:
(1) Informarnos dentro de los 90 días
(2) Obtener la Autorización de Devolución
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Si necesita cualquier servicio postventa, no dude en contactarnos.
| Imagen |  |
| Número de pieza | SSM3K315T(TE85L,F) |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | U-MOSIV |
| Paquete/Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Estado del producto | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | 6A (Ta) |
| Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | 4.5V, 10V |
| Rds activado (máx.) a Id, Vgs | 27.6mOhm @ 4A, 10V |
| Vgs(th) (máx.) a Id | 2.5V @ 1mA |
| Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 10.1 nC @ 10 V |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 450 pF @ 15 V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (máx.) | 700mW (Ta) |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Grado | - |
| Calificación | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Proveedor Dispositivo Paquete | TSM |
Inventario:4,417
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