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Torex Semiconductor Ltd XP161A1265PR
- Número de pieza.:
- XP161A1265PR
- Fabricante:
- Torex Semiconductor Ltd
- Categoría:
- FET, MOSFET
- Paquete:
- TO-243AA
- Datasheet:
-
XP161A1265PR.pdf
- Descripción:
- MOSFET N-CH 20V 4A SOT89
- Cantidad:
- Pago:
- Buques:
Detalles del producto
- Especificaciones
- Preguntas Frecuentes
- Comparación
- Etiquetas
- Atributos del producto
- Valor del atributo
- Fabricante:
- Torex Semiconductor Ltd
- Serie:
- -
- Paquete/Caja:
- TO-243AA
- Embalaje:
- Tape & Reel (TR)
- Estado del producto:
- Not For New Designs
- Tipo FET:
- N-Channel
- Tecnología:
- MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):
- 20 V
- Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
- 4A (Ta)
- Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado):
- 2.5V, 4.5V
- Rds activado (máx.) a Id, Vgs:
- 55mOhm @ 2A, 4.5V
- Vgs(th) (máx.) a Id:
- -
- Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs:
- -
- Vgs (máx.):
- ±12V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds:
- 320 pF @ 10 V
- Característica FET:
- -
- Disipación de potencia (máx.):
- 2W (Ta)
- Temperatura de funcionamiento:
- 150°C (TJ)
- Grado:
- -
- Calificación:
- -
- Tipo de montaje:
- Surface Mount
- Proveedor Dispositivo Paquete:
- SOT-89
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(2) Se nos informa del defecto mencionado dentro de los 90 días posteriores a la entrega de XP161A1265PR.
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Dos pasos para devolver productos:
(1) Informarnos dentro de los 90 días
(2) Obtener la Autorización de Devolución
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Si necesita cualquier servicio postventa, no dude en contactarnos.
| Imagen |  |
 |
| Número de pieza | XP161A1265PR | XP161A1265PR-G |
| Fabricante | Torex Semiconductor Ltd | Torex Semiconductor Ltd |
| Serie | - | - |
| Paquete/Caja | TO-243AA | TO-243AA |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| Estado del producto | Not For New Designs | Active |
| Tipo FET | N-Channel | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 20 V | 20 V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | 4A (Ta) | 4A (Ta) |
| Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | 2.5V, 4.5V | 2.5V, 4.5V |
| Rds activado (máx.) a Id, Vgs | 55mOhm @ 2A, 4.5V | 55mOhm @ 2A, 4.5V |
| Vgs(th) (máx.) a Id | - | 1.4V @ 1mA |
| Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | - | - |
| Vgs (máx.) | ±12V | ±12V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 320 pF @ 10 V | 320 pF @ 10 V |
| Característica FET | - | - |
| Disipación de potencia (máx.) | 2W (Ta) | 2W (Ta) |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | 150°C (TA) |
| Grado | - | - |
| Calificación | - | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Proveedor Dispositivo Paquete | SOT-89 | SOT-89 |
Inventario:3,469
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