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0Texas Instruments CSD16325Q5C
- Número de pieza.:
- CSD16325Q5C
- Fabricante:
- Texas Instruments
- Categoría:
- FET, MOSFET
- Paquete:
- 8-PowerTDFN
- Datasheet:
-
CSD16325Q5C.pdf
- Descripción:
- MOSFET N-CH 25V 33A/100A 8VSON
- Cantidad:
- Pago:
- Buques:
Detalles del producto
- Especificaciones
- Preguntas Frecuentes
- Comparación
- Etiquetas
- Atributos del producto
- Valor del atributo
- Fabricante:
- Texas Instruments
- Serie:
- NexFET™
- Paquete/Caja:
- 8-PowerTDFN
- Embalaje:
- Tape & Reel (TR)
- Estado del producto:
- Obsolete
- Tipo FET:
- N-Channel
- Tecnología:
- MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):
- 25 V
- Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
- 33A (Ta), 100A (Tc)
- Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado):
- 3V, 8V
- Rds activado (máx.) a Id, Vgs:
- 2mOhm @ 30A, 8V
- Vgs(th) (máx.) a Id:
- 1.4V @ 250µA
- Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs:
- 25 nC @ 4.5 V
- Vgs (máx.):
- +10V, -8V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds:
- 4000 pF @ 12.5 V
- Característica FET:
- -
- Disipación de potencia (máx.):
- 3.1W (Ta)
- Temperatura de funcionamiento:
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grado:
- -
- Calificación:
- -
- Tipo de montaje:
- Surface Mount
- Proveedor Dispositivo Paquete:
- 8-VSON-CLIP (5x6)
Inventario:0
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