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Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB099PW
- Número de pieza.:
- TSM60NB099PW
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Categoría:
- FET, MOSFET
- Paquete:
- TO-247-3
- Descripción:
- 600V, 38A, SINGLE N-CHANNEL POWE
- Cantidad:
- Pago:
- Buques:
Detalles del producto
- Especificaciones
- Preguntas Frecuentes
- Comparación
- Etiquetas
- Atributos del producto
- Valor del atributo
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Serie:
- -
- Paquete/Caja:
- TO-247-3
- Embalaje:
- Tube
- Estado del producto:
- Active
- Tipo FET:
- N-Channel
- Tecnología:
- MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):
- 600 V
- Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
- 38A (Tc)
- Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado):
- 10V
- Rds activado (máx.) a Id, Vgs:
- 99mOhm @ 11.7A, 10V
- Vgs(th) (máx.) a Id:
- 4V @ 250µA
- Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs:
- 62 nC @ 10 V
- Vgs (máx.):
- ±30V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds:
- 2587 pF @ 100 V
- Característica FET:
- -
- Disipación de potencia (máx.):
- 329W (Tc)
- Temperatura de funcionamiento:
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grado:
- -
- Calificación:
- -
- Tipo de montaje:
- Through Hole
- Proveedor Dispositivo Paquete:
- TO-247
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(2) Se nos informa del defecto mencionado dentro de los 90 días posteriores a la entrega de TSM60NB099PW.
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(1) Informarnos dentro de los 90 días
(2) Obtener la Autorización de Devolución
7. ¿Cómo contactarnos para obtener soporte técnico, como el diagrama de pines o la hoja de datos de TSM60NB099PW?
Si necesita cualquier servicio postventa, no dude en contactarnos.
| Imagen |  |
 |
| Número de pieza | TSM60NB099PW C1G | TSM60NB099PW |
| Fabricante | Taiwan Semiconductor Corporation | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Serie | - | - |
| Paquete/Caja | TO-247-3 | TO-247-3 |
| Embalaje | Tube | Tube |
| Estado del producto | Obsolete | Active |
| Tipo FET | N-Channel | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 600 V | 600 V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | 38A (Tc) | 38A (Tc) |
| Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | 10V | 10V |
| Rds activado (máx.) a Id, Vgs | 99mOhm @ 11.7A, 10V | 99mOhm @ 11.7A, 10V |
| Vgs(th) (máx.) a Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 62 nC @ 10 V | 62 nC @ 10 V |
| Vgs (máx.) | ±30V | ±30V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 2587 pF @ 100 V | 2587 pF @ 100 V |
| Característica FET | - | - |
| Disipación de potencia (máx.) | 329W (Tc) | 329W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Grado | - | - |
| Calificación | - | - |
| Tipo de montaje | Through Hole | Through Hole |
| Proveedor Dispositivo Paquete | TO-247 | TO-247 |
Inventario:0
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