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0STMicroelectronics SCTH35N65G2V-7AG
- Número de pieza.:
- SCTH35N65G2V-7AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Categoría:
- FET, MOSFET
- Paquete:
- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Datasheet:
-
SCTH35N65G2V-7AG.pdf
- Descripción:
- SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7
- Cantidad:
- Pago:
- Buques:
Detalles del producto
- Especificaciones
- Preguntas Frecuentes
- Comparación
- Etiquetas
- Atributos del producto
- Valor del atributo
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Serie:
- -
- Paquete/Caja:
- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Embalaje:
- Tape & Reel (TR)
- Estado del producto:
- Active
- Tipo FET:
- N-Channel
- Tecnología:
- SiCFET (Silicon Carbide)
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):
- 650 V
- Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
- 45A (Tc)
- Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado):
- 18V, 20V
- Rds activado (máx.) a Id, Vgs:
- 67mOhm @ 20A, 20V
- Vgs(th) (máx.) a Id:
- 5V @ 1mA
- Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs:
- 73 nC @ 20 V
- Vgs (máx.):
- +22V, -10V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds:
- 1370 pF @ 400 V
- Característica FET:
- -
- Disipación de potencia (máx.):
- 208W (Tc)
- Temperatura de funcionamiento:
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado:
- Automotive
- Calificación:
- AEC-Q101
- Tipo de montaje:
- Surface Mount
- Proveedor Dispositivo Paquete:
- H2PAK-7
Inventario:1,000
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