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    Rohm Semiconductor RMW280N03TB

    Número de pieza.:
    RMW280N03TB
    Fabricante:
    Rohm Semiconductor
    Categoría:
    FET, MOSFET
    Paquete:
    8-SMD, Flat Lead
    Datasheet:
    KATY Electronic Technology Co., LTDRMW280N03TB.pdf
    Descripción:
    MOSFET N-CH 30V 28A 8PSOP
    Cantidad:
    Pago:
    Payment
    Buques:
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    Detalles del producto

    • Especificaciones
    • Preguntas Frecuentes
    • Comparación
    • Etiquetas
    Atributos del producto
    Valor del atributo
    Fabricante:
    Rohm Semiconductor
    Serie:
    -
    Paquete/Caja:
    8-SMD, Flat Lead
    Embalaje:
    Tape & Reel (TR)
    Estado del producto:
    Obsolete
    Tipo FET:
    N-Channel
    Tecnología:
    MOSFET (Metal Oxide)
    Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):
    30 V
    Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
    28A (Ta)
    Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado):
    4.5V, 10V
    Rds activado (máx.) a Id, Vgs:
    2.8mOhm @ 28A, 10V
    Vgs(th) (máx.) a Id:
    2.5V @ 1mA
    Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs:
    53 nC @ 10 V
    Vgs (máx.):
    ±20V
    Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds:
    3130 pF @ 15 V
    Característica FET:
    -
    Disipación de potencia (máx.):
    3W (Ta)
    Temperatura de funcionamiento:
    150°C (TJ)
    Grado:
    -
    Calificación:
    -
    Tipo de montaje:
    Surface Mount
    Proveedor Dispositivo Paquete:
    8-PSOP

    Inventario:4,112

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    BSZ180P03NS3EGATMA1
    BSZ180P03NS3EGATMA1

    Infineon Technologies

    SIRA14DP-T1-GE3
    SIRA14DP-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    AO4419
    AO4419

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    SISA14BDN-T1-GE3
    SISA14BDN-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    PSMN9R5-30YLC,115
    PSMN9R5-30YLC,115

    Nexperia USA Inc.

    BUK9Y21-40E,115
    BUK9Y21-40E,115

    Nexperia USA Inc.

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