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Renesas Electronics Corporation RBA250N04AHPF-4UA01#GB0
- Número de pieza.:
- RBA250N04AHPF-4UA01#GB0
- Fabricante:
- Renesas Electronics Corporation
- Categoría:
- FET, MOSFET
- Paquete:
- TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
- Datasheet:
-
RBA250N04AHPF-4UA01#GB0.pdf
- Descripción:
- POWER TRS2 AUTOMOTIVE MOS MP-25L
- Cantidad:
- Pago:
- Buques:
Detalles del producto
- Especificaciones
- Preguntas Frecuentes
- Comparación
- Etiquetas
- Atributos del producto
- Valor del atributo
- Fabricante:
- Renesas Electronics Corporation
- Serie:
- -
- Paquete/Caja:
- TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
- Embalaje:
- Tape & Reel (TR)
- Estado del producto:
- Active
- Tipo FET:
- N-Channel
- Tecnología:
- MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):
- 40 V
- Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
- 250A (Tc)
- Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado):
- 10V
- Rds activado (máx.) a Id, Vgs:
- 0.85mOhm @ 125A, 10V
- Vgs(th) (máx.) a Id:
- 4V @ 250µA
- Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs:
- 368 nC @ 10 V
- Vgs (máx.):
- ±20V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds:
- 19350 pF @ 25 V
- Característica FET:
- -
- Disipación de potencia (máx.):
- 1.8W (Ta), 348W (Tc)
- Temperatura de funcionamiento:
- 175°C
- Grado:
- Automotive
- Calificación:
- AEC-Q101
- Tipo de montaje:
- Surface Mount
- Proveedor Dispositivo Paquete:
- TO-263-7
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Dos pasos para devolver productos:
(1) Informarnos dentro de los 90 días
(2) Obtener la Autorización de Devolución
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| Imagen |  |
| Número de pieza | RBA250N04AHPF-4UA01#GB0 |
| Fabricante | Renesas Electronics Corporation |
| Serie | - |
| Paquete/Caja | TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Estado del producto | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 40 V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | 250A (Tc) |
| Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | 10V |
| Rds activado (máx.) a Id, Vgs | 0.85mOhm @ 125A, 10V |
| Vgs(th) (máx.) a Id | 4V @ 250µA |
| Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 368 nC @ 10 V |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 19350 pF @ 25 V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (máx.) | 1.8W (Ta), 348W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | 175°C |
| Grado | Automotive |
| Calificación | AEC-Q101 |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Proveedor Dispositivo Paquete | TO-263-7 |
Inventario:2,447
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