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onsemi NVF3055-100T1G
- Número de pieza.:
- NVF3055-100T1G
- Fabricante:
- onsemi
- Categoría:
- FET, MOSFET
- Paquete:
- TO-261-4, TO-261AA
- Datasheet:
-
NVF3055-100T1G.pdf
- Descripción:
- MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
- Cantidad:
- Pago:
- Buques:
Detalles del producto
- Especificaciones
- Preguntas Frecuentes
- Comparación
- Etiquetas
- Atributos del producto
- Valor del atributo
- Fabricante:
- onsemi
- Serie:
- -
- Paquete/Caja:
- TO-261-4, TO-261AA
- Embalaje:
- Tape & Reel (TR)
- Estado del producto:
- Active
- Tipo FET:
- N-Channel
- Tecnología:
- MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):
- 60 V
- Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
- 3A (Ta)
- Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado):
- 10V
- Rds activado (máx.) a Id, Vgs:
- 110mOhm @ 1.5A, 10V
- Vgs(th) (máx.) a Id:
- 4V @ 250µA
- Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs:
- 22 nC @ 10 V
- Vgs (máx.):
- ±20V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds:
- 455 pF @ 25 V
- Característica FET:
- -
- Disipación de potencia (máx.):
- 1.3W (Ta)
- Temperatura de funcionamiento:
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado:
- Automotive
- Calificación:
- AEC-Q101
- Tipo de montaje:
- Surface Mount
- Proveedor Dispositivo Paquete:
- SOT-223 (TO-261)
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6. ¿Cuál es el proceso para devolver o reemplazar NVF3055-100T1G?
Todos los productos pasan por una Inspección Previa al Envío (PSI), seleccionada aleatoriamente entre los lotes del pedido para una inspección sistemática antes del envío. Aceptamos devoluciones o reemplazos de NVF3055-100T1G solo si se cumplen todas las siguientes condiciones:
(1) Deficiencias en cantidad, entrega de artículos erróneos o defectos externos evidentes (roturas, óxido, etc.), y que reconozcamos dichos problemas.
(2) Se nos informa del defecto mencionado dentro de los 90 días posteriores a la entrega de NVF3055-100T1G.
(3) El número de parte no se ha usado y está en su empaque original sin abrir.
Dos pasos para devolver productos:
(1) Informarnos dentro de los 90 días
(2) Obtener la Autorización de Devolución
7. ¿Cómo contactarnos para obtener soporte técnico, como el diagrama de pines o la hoja de datos de NVF3055-100T1G?
Si necesita cualquier servicio postventa, no dude en contactarnos.
| Imagen |  |
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| Número de pieza | NVF3055-100T1G | NVF3055L108T3G |
| Fabricante | onsemi | onsemi |
| Serie | - | - |
| Paquete/Caja | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| Estado del producto | Active | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 60 V | 60 V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | 3A (Ta) | 3A (Ta) |
| Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | 10V | 5V |
| Rds activado (máx.) a Id, Vgs | 110mOhm @ 1.5A, 10V | 120mOhm @ 1.5A, 5V |
| Vgs(th) (máx.) a Id | 4V @ 250µA | 2V @ 250µA |
| Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 22 nC @ 10 V | 15 nC @ 5 V |
| Vgs (máx.) | ±20V | ±15V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 455 pF @ 25 V | 440 pF @ 25 V |
| Característica FET | - | - |
| Disipación de potencia (máx.) | 1.3W (Ta) | 1.3W (Ta) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Grado | Automotive | Automotive |
| Calificación | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Proveedor Dispositivo Paquete | SOT-223 (TO-261) | SOT-223 (TO-261) |
Inventario:4,774
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