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onsemi NVD6824NLT4G-VF01
- Número de pieza.:
- NVD6824NLT4G-VF01
- Fabricante:
- onsemi
- Categoría:
- FET, MOSFET
- Paquete:
- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Datasheet:
-
NVD6824NLT4G-VF01.pdf
- Descripción:
- MOSFET N-CH 100V 8.5A/41A DPAK
- Cantidad:
- Pago:
- Buques:
Detalles del producto
- Especificaciones
- Preguntas Frecuentes
- Comparación
- Etiquetas
- Atributos del producto
- Valor del atributo
- Fabricante:
- onsemi
- Serie:
- -
- Paquete/Caja:
- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Embalaje:
- Tape & Reel (TR)
- Estado del producto:
- Not For New Designs
- Tipo FET:
- N-Channel
- Tecnología:
- MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):
- 100 V
- Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
- 8.5A (Ta), 41A (Tc)
- Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado):
- 4.5V, 10V
- Rds activado (máx.) a Id, Vgs:
- 20mOhm @ 20A, 10V
- Vgs(th) (máx.) a Id:
- 2.5V @ 250µA
- Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs:
- 66 nC @ 10 V
- Vgs (máx.):
- ±20V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds:
- 3468 pF @ 25 V
- Característica FET:
- -
- Disipación de potencia (máx.):
- 3.9W (Ta), 90W (Tc)
- Temperatura de funcionamiento:
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado:
- Automotive
- Calificación:
- AEC-Q101
- Tipo de montaje:
- Surface Mount
- Proveedor Dispositivo Paquete:
- DPAK
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(1) Informarnos dentro de los 90 días
(2) Obtener la Autorización de Devolución
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Si necesita cualquier servicio postventa, no dude en contactarnos.
| Imagen |  |
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| Número de pieza | NVD6824NLT4G-VF01 | NVD6824NLT4G | NVD6824NLT4G-UM |
| Fabricante | onsemi | onsemi | onsemi |
| Serie | - | - | - |
| Paquete/Caja | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| Estado del producto | Not For New Designs | Obsolete | Discontinued at Digi-Key |
| Tipo FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V | 100 V | 100 V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | 8.5A (Ta), 41A (Tc) | 8.5A (Ta), 41A (Tc) | 8.5A (Ta), 41A (Tc) |
| Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| Rds activado (máx.) a Id, Vgs | 20mOhm @ 20A, 10V | 20mOhm @ 20A, 10V | 20mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs(th) (máx.) a Id | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 66 nC @ 10 V | 66 nC @ 10 V | 66 nC @ 10 V |
| Vgs (máx.) | ±20V | ±20V | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 3468 pF @ 25 V | 3468 pF @ 25 V | 3468 pF @ 25 V |
| Característica FET | - | - | - |
| Disipación de potencia (máx.) | 3.9W (Ta), 90W (Tc) | 3.9W (Ta), 90W (Tc) | 3.9W (Ta), 90W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Grado | Automotive | Automotive | Automotive |
| Calificación | AEC-Q101 | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| Proveedor Dispositivo Paquete | DPAK | DPAK | DPAK |
Inventario:1,845
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