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onsemi NTBG032N065M3S
- Número de pieza.:
- NTBG032N065M3S
- Fabricante:
- onsemi
- Categoría:
- FET, MOSFET
- Paquete:
- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Descripción:
- SIC MOS D2PAK-7L 32MOHM 650V M3S
- Cantidad:
- Pago:
- Buques:
Detalles del producto
- Especificaciones
- Preguntas Frecuentes
- Comparación
- Etiquetas
- Atributos del producto
- Valor del atributo
- Fabricante:
- onsemi
- Serie:
- -
- Paquete/Caja:
- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Embalaje:
- Tape & Reel (TR)
- Estado del producto:
- Active
- Tipo FET:
- N-Channel
- Tecnología:
- SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):
- 650 V
- Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
- 52A (Tc)
- Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado):
- 15V, 18V
- Rds activado (máx.) a Id, Vgs:
- 44mOhm @ 15A, 18V
- Vgs(th) (máx.) a Id:
- 4V @ 7.5mA
- Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs:
- 55 nC @ 18 V
- Vgs (máx.):
- +22V, -8V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds:
- 1409 pF @ 400 V
- Característica FET:
- -
- Disipación de potencia (máx.):
- 200W (Tc)
- Temperatura de funcionamiento:
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado:
- -
- Calificación:
- -
- Tipo de montaje:
- Surface Mount
- Proveedor Dispositivo Paquete:
- D2PAK-7
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(1) Informarnos dentro de los 90 días
(2) Obtener la Autorización de Devolución
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Si necesita cualquier servicio postventa, no dude en contactarnos.
| Imagen |  |
| Número de pieza | NTBG032N065M3S |
| Fabricante | onsemi |
| Serie | - |
| Paquete/Caja | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Estado del producto | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnología | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 650 V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | 52A (Tc) |
| Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | 15V, 18V |
| Rds activado (máx.) a Id, Vgs | 44mOhm @ 15A, 18V |
| Vgs(th) (máx.) a Id | 4V @ 7.5mA |
| Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 55 nC @ 18 V |
| Vgs (máx.) | +22V, -8V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 1409 pF @ 400 V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (máx.) | 200W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Grado | - |
| Calificación | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Proveedor Dispositivo Paquete | D2PAK-7 |
Inventario:615
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