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onsemi FDB0190N807L
- Número de pieza.:
- FDB0190N807L
- Fabricante:
- onsemi
- Categoría:
- FET, MOSFET
- Paquete:
- TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
- Datasheet:
-
FDB0190N807L.pdf
- Descripción:
- MOSFET N-CH 80V 270A TO263-7
- Cantidad:
- Pago:
- Buques:
Detalles del producto
- Especificaciones
- Preguntas Frecuentes
- Comparación
- Etiquetas
- Atributos del producto
- Valor del atributo
- Fabricante:
- onsemi
- Serie:
- PowerTrench®
- Paquete/Caja:
- TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
- Embalaje:
- Tape & Reel (TR)
- Estado del producto:
- Active
- Tipo FET:
- N-Channel
- Tecnología:
- MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):
- 80 V
- Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
- 270A (Tc)
- Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado):
- 8V, 10V
- Rds activado (máx.) a Id, Vgs:
- 1.7mOhm @ 34A, 10V
- Vgs(th) (máx.) a Id:
- 4V @ 250µA
- Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs:
- 249 nC @ 10 V
- Vgs (máx.):
- ±20V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds:
- 19110 pF @ 40 V
- Característica FET:
- -
- Disipación de potencia (máx.):
- 3.8W (Ta), 250W (Tc)
- Temperatura de funcionamiento:
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado:
- -
- Calificación:
- -
- Tipo de montaje:
- Surface Mount
- Proveedor Dispositivo Paquete:
- TO-263-7
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(1) Informarnos dentro de los 90 días
(2) Obtener la Autorización de Devolución
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| Imagen |  |
| Número de pieza | FDB0190N807L |
| Fabricante | onsemi |
| Serie | PowerTrench® |
| Paquete/Caja | TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Estado del producto | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 80 V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | 270A (Tc) |
| Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | 8V, 10V |
| Rds activado (máx.) a Id, Vgs | 1.7mOhm @ 34A, 10V |
| Vgs(th) (máx.) a Id | 4V @ 250µA |
| Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 249 nC @ 10 V |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 19110 pF @ 40 V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (máx.) | 3.8W (Ta), 250W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Grado | - |
| Calificación | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Proveedor Dispositivo Paquete | TO-263-7 |
Inventario:663
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