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NXP USA Inc. PSMN023-40YLCX
- Número de pieza.:
- PSMN023-40YLCX
- Fabricante:
- NXP USA Inc.
- Categoría:
- FET, MOSFET
- Paquete:
- SC-100, SOT-669
- Descripción:
- MOSFET N-CH 40V 24A LFPAK56
- Cantidad:
- Pago:
- Buques:
Detalles del producto
- Especificaciones
- Preguntas Frecuentes
- Comparación
- Etiquetas
- Atributos del producto
- Valor del atributo
- Fabricante:
- NXP USA Inc.
- Serie:
- -
- Paquete/Caja:
- SC-100, SOT-669
- Embalaje:
- Tape & Reel (TR)
- Estado del producto:
- Obsolete
- Tipo FET:
- N-Channel
- Tecnología:
- MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):
- 40 V
- Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
- 24A (Tc)
- Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado):
- 4.5V, 10V
- Rds activado (máx.) a Id, Vgs:
- 23mOhm @ 5A, 10V
- Vgs(th) (máx.) a Id:
- 1.95V @ 1mA
- Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs:
- 8.4 nC @ 10 V
- Vgs (máx.):
- ±20V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds:
- 520 pF @ 20 V
- Característica FET:
- -
- Disipación de potencia (máx.):
- 25W (Tc)
- Temperatura de funcionamiento:
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado:
- -
- Calificación:
- -
- Tipo de montaje:
- Surface Mount
- Proveedor Dispositivo Paquete:
- LFPAK56, Power-SO8
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Todos los productos pasan por una Inspección Previa al Envío (PSI), seleccionada aleatoriamente entre los lotes del pedido para una inspección sistemática antes del envío. Aceptamos devoluciones o reemplazos de PSMN023-40YLCX solo si se cumplen todas las siguientes condiciones:
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(2) Se nos informa del defecto mencionado dentro de los 90 días posteriores a la entrega de PSMN023-40YLCX.
(3) El número de parte no se ha usado y está en su empaque original sin abrir.
Dos pasos para devolver productos:
(1) Informarnos dentro de los 90 días
(2) Obtener la Autorización de Devolución
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Si necesita cualquier servicio postventa, no dude en contactarnos.
| Imagen |  |
 |
| Número de pieza | PSMN023-80LS,115 | PSMN023-40YLCX |
| Fabricante | NXP USA Inc. | NXP USA Inc. |
| Serie | - | - |
| Paquete/Caja | 8-VDFN Exposed Pad | SC-100, SOT-669 |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| Estado del producto | Obsolete | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 80 V | 40 V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | 34A (Tc) | 24A (Tc) |
| Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | 10V | 4.5V, 10V |
| Rds activado (máx.) a Id, Vgs | 23mOhm @ 10A, 10V | 23mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs(th) (máx.) a Id | 4V @ 1mA | 1.95V @ 1mA |
| Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 21 nC @ 10 V | 8.4 nC @ 10 V |
| Vgs (máx.) | ±20V | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 1295 pF @ 40 V | 520 pF @ 20 V |
| Característica FET | - | - |
| Disipación de potencia (máx.) | 65W (Tc) | 25W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Grado | - | - |
| Calificación | - | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Proveedor Dispositivo Paquete | 8-DFN3333 (3.3x3.3) | LFPAK56, Power-SO8 |
Inventario:0
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