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NXP USA Inc. PMT29EN,135
- Número de pieza.:
- PMT29EN,135
- Fabricante:
- NXP USA Inc.
- Categoría:
- FET, MOSFET
- Paquete:
- TO-261-4, TO-261AA
- Datasheet:
-
PMT29EN,135.pdf
- Descripción:
- MOSFET N-CH 30V 6A SOT223
- Cantidad:
- Pago:
- Buques:
Detalles del producto
- Especificaciones
- Preguntas Frecuentes
- Comparación
- Etiquetas
- Atributos del producto
- Valor del atributo
- Fabricante:
- NXP USA Inc.
- Serie:
- -
- Paquete/Caja:
- TO-261-4, TO-261AA
- Embalaje:
- Tape & Reel (TR)
- Estado del producto:
- Obsolete
- Tipo FET:
- N-Channel
- Tecnología:
- MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):
- 30 V
- Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
- 6A (Ta)
- Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado):
- 4.5V, 10V
- Rds activado (máx.) a Id, Vgs:
- 29mOhm @ 6A, 10V
- Vgs(th) (máx.) a Id:
- 2.5V @ 250µA
- Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs:
- 11 nC @ 10 V
- Vgs (máx.):
- ±20V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds:
- 492 pF @ 15 V
- Característica FET:
- -
- Disipación de potencia (máx.):
- 820mW (Ta), 8.33W (Tc)
- Temperatura de funcionamiento:
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grado:
- -
- Calificación:
- -
- Tipo de montaje:
- Surface Mount
- Proveedor Dispositivo Paquete:
- SC-73
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(2) Se nos informa del defecto mencionado dentro de los 90 días posteriores a la entrega de PMT29EN,135.
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(1) Informarnos dentro de los 90 días
(2) Obtener la Autorización de Devolución
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| Imagen |  |
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| Número de pieza | PMT29EN,115 | PMT29EN,135 |
| Fabricante | NXP USA Inc. | NXP USA Inc. |
| Serie | - | - |
| Paquete/Caja | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| Estado del producto | Obsolete | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V | 30 V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | 6A (Ta) | 6A (Ta) |
| Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| Rds activado (máx.) a Id, Vgs | 29mOhm @ 6A, 10V | 29mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs(th) (máx.) a Id | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 11 nC @ 10 V | 11 nC @ 10 V |
| Vgs (máx.) | ±20V | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 492 pF @ 15 V | 492 pF @ 15 V |
| Característica FET | - | - |
| Disipación de potencia (máx.) | 820mW (Ta), 8.33W (Tc) | 820mW (Ta), 8.33W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Grado | - | - |
| Calificación | - | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Proveedor Dispositivo Paquete | SC-73 | SC-73 |
Inventario:0
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