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Nexperia USA Inc. BUK9Y19-100E,115
- Número de pieza.:
- BUK9Y19-100E,115
- Fabricante:
- Nexperia USA Inc.
- Categoría:
- FET, MOSFET
- Paquete:
- SC-100, SOT-669
- Datasheet:
-
BUK9Y19-100E,115.pdf
- Descripción:
- MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK56
- Cantidad:
- Pago:
- Buques:
Detalles del producto
- Especificaciones
- Preguntas Frecuentes
- Comparación
- Etiquetas
- Atributos del producto
- Valor del atributo
- Fabricante:
- Nexperia USA Inc.
- Serie:
- TrenchMOS™
- Paquete/Caja:
- SC-100, SOT-669
- Embalaje:
- Tape & Reel (TR)
- Estado del producto:
- Active
- Tipo FET:
- N-Channel
- Tecnología:
- MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):
- 100 V
- Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
- 56A (Tc)
- Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado):
- 5V
- Rds activado (máx.) a Id, Vgs:
- 18mOhm @ 15A, 10V
- Vgs(th) (máx.) a Id:
- 2.1V @ 1mA
- Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs:
- 39 nC @ 5 V
- Vgs (máx.):
- ±10V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds:
- 5085 pF @ 25 V
- Característica FET:
- -
- Disipación de potencia (máx.):
- 167W (Tc)
- Temperatura de funcionamiento:
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado:
- Automotive
- Calificación:
- AEC-Q101
- Tipo de montaje:
- Surface Mount
- Proveedor Dispositivo Paquete:
- LFPAK56, Power-SO8
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(1) Informarnos dentro de los 90 días
(2) Obtener la Autorización de Devolución
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| Imagen |  |
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| Número de pieza | BUK9Y19-55B,115 | BUK9Y19-100E,115 | BUK9Y19-55B/C2,115 |
| Fabricante | Nexperia USA Inc. | Nexperia USA Inc. | Nexperia USA Inc. |
| Serie | TrenchMOS™ | TrenchMOS™ | TrenchMOS™ |
| Paquete/Caja | SC-100, SOT-669 | SC-100, SOT-669 | SC-100, SOT-669 |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| Estado del producto | Active | Active | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 55 V | 100 V | 55 V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | 46A (Tc) | 56A (Tc) | 46A |
| Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | 5V | 5V | - |
| Rds activado (máx.) a Id, Vgs | 17.3mOhm @ 20A, 10V | 18mOhm @ 15A, 10V | 17.3mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs(th) (máx.) a Id | 2V @ 1mA | 2.1V @ 1mA | 2V @ 1mA |
| Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 18 nC @ 5 V | 39 nC @ 5 V | 18 nC @ 5 V |
| Vgs (máx.) | ±15V | ±10V | - |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 1992 pF @ 25 V | 5085 pF @ 25 V | 1992 pF @ 25 V |
| Característica FET | - | - | - |
| Disipación de potencia (máx.) | 85W (Tc) | 167W (Tc) | - |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - |
| Grado | Automotive | Automotive | - |
| Calificación | AEC-Q101 | AEC-Q101 | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| Proveedor Dispositivo Paquete | LFPAK56, Power-SO8 | LFPAK56, Power-SO8 | LFPAK56, Power-SO8 |
Inventario:15,329
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