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IXYS IXTA180N085T
- Número de pieza.:
- IXTA180N085T
- Fabricante:
- IXYS
- Categoría:
- FET, MOSFET
- Paquete:
- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Descripción:
- MOSFET N-CH 85V 180A TO263
- Cantidad:
- Pago:
- Buques:
Detalles del producto
- Especificaciones
- Preguntas Frecuentes
- Comparación
- Etiquetas
- Atributos del producto
- Valor del atributo
- Fabricante:
- IXYS
- Serie:
- TrenchMV™
- Paquete/Caja:
- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Embalaje:
- Tube
- Estado del producto:
- Obsolete
- Tipo FET:
- N-Channel
- Tecnología:
- MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):
- 85 V
- Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
- 180A (Tc)
- Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado):
- 10V
- Rds activado (máx.) a Id, Vgs:
- 5.5mOhm @ 25A, 10V
- Vgs(th) (máx.) a Id:
- 4V @ 250µA
- Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs:
- 170 nC @ 10 V
- Vgs (máx.):
- ±20V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds:
- 7500 pF @ 25 V
- Característica FET:
- -
- Disipación de potencia (máx.):
- 430W (Tc)
- Temperatura de funcionamiento:
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado:
- -
- Calificación:
- -
- Tipo de montaje:
- Surface Mount
- Proveedor Dispositivo Paquete:
- TO-263AA
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El precio y el inventario de IXTA180N085T fluctúan frecuentemente y no siempre se actualizan en tiempo real, aunque se actualizan periódicamente cada 24 horas. Además, nuestras cotizaciones suelen expirar después de 5 días.
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(2) Se nos informa del defecto mencionado dentro de los 90 días posteriores a la entrega de IXTA180N085T.
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Dos pasos para devolver productos:
(1) Informarnos dentro de los 90 días
(2) Obtener la Autorización de Devolución
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Si necesita cualquier servicio postventa, no dude en contactarnos.
| Imagen |  |
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| Número de pieza | IXTA180N085T | IXTA180N085T7 |
| Fabricante | IXYS | IXYS |
| Serie | TrenchMV™ | TrenchMV™ |
| Paquete/Caja | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) |
| Embalaje | Tube | Tube |
| Estado del producto | Obsolete | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 85 V | 85 V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | 180A (Tc) | 180A (Tc) |
| Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | 10V | 10V |
| Rds activado (máx.) a Id, Vgs | 5.5mOhm @ 25A, 10V | 5.5mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs(th) (máx.) a Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 170 nC @ 10 V | 170 nC @ 10 V |
| Vgs (máx.) | ±20V | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 7500 pF @ 25 V | 7500 pF @ 25 V |
| Característica FET | - | - |
| Disipación de potencia (máx.) | 430W (Tc) | 430W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Grado | - | - |
| Calificación | - | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Proveedor Dispositivo Paquete | TO-263AA | TO-263-7 (IXTA) |
Inventario:0
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Vishay Siliconix
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Nexperia USA Inc.
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